[发明专利]改良型雾化喷淋结构有效
申请号: | 201810877552.9 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN108735637B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 吴佳俊;张凯胜;姚伟忠;孙铁囤 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 朱丽莎 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改良 雾化 喷淋 结构 | ||
本发明涉及太阳能电池硅片生产设备技术领域,尤其涉及一种改良型雾化喷淋结构,通过在喷淋长管内设置了第一内管和第二内管,提高了现有的喷淋压力与雾化能力,能够让硅片表面一些附着的脏污清洁更干净,并降低液体介质的使用量。
技术领域
本发明涉及太阳能电池硅片生产设备技术领域,尤其涉及一种改良型雾化喷淋结构。
背景技术
硅片,又叫做“芯片”、集成电路块。一只硅片里面通常含有数十到数万个硅晶体管组成的电路,完成一个或者数个功能。硅片在制作过程中需要清洗和烘干,现有的硅片雾化喷淋装置(如图1-3所示),在对硅片进行雾化喷淋时,液体从进口6进入,下端的一排均匀小孔7喷出,内部没有均流结构,导致喷出的液体两端出液量和压力比中间的出液量和压力要小,喷淋不均匀,影响硅片清洁效果。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:为了解决现有技术中硅片雾化喷淋装置清洗效果不佳的技术问题,本发明提供一种改良型雾化喷淋结构。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种改良型雾化喷淋结构,包括喷淋长管、第一内管和第二内管,喷淋长管的上侧中间设置有主进口,喷淋长管的底部沿喷淋长管长度方向设置有多个均匀的主出孔,第一内管和第二内管均设置在喷淋长管内部,第一内管和第二内管的轴线和喷淋长管的长度方向相平行,第一内管和第二内管的两端均封闭,第一内管位于第二内管的上方,第一内管的上面开设有一个进风口和多个出风小孔,进风口位于中间,出风小孔位于进风口的两边且向第一内管的两端延伸,出风小孔的密度从中间向两边逐渐变大,第二内管的底部沿第二内管长度方向设置有多个均匀的出液口,进风口连通有进气管,第二内管连通有进液管。改良后的雾化喷淋结构,外部空气介质由进风口先充进第一内管,由第一内管上面的出风小孔出风,把气体均匀的排入喷淋长管中,第一内管上面的出风小孔在靠近进风口的位置出风小孔比较疏松,远离次进风口的位置出风小孔比较密集,这样也是有利于整个第一内管出风均匀,气体撞击喷淋长管内的上壁后改变方向向下运行从而到达喷淋长管底部的主出孔,这样的方式会让空气充满整个喷淋长管内,使得喷淋长管的两端和中间主出孔的风量与风压一致。第二内管和外部的进液管相连通,接通清洗液,通过均匀的风量与风压从主出孔喷出,对硅片起到了良好的清洗效果。
为了便于液体喷出液体,所述喷淋长管的截面呈上宽下窄的形状。
为了避免气体从上面泄漏,影响喷出的压力,所述进气管穿过主进口后和进风口相连通,进气管和主进口之间密封连接。
为了有助于让气体充满整个喷淋长管内,所述第一内管底部和第二内管顶部相接触,且第一内管和第二内管均位于喷淋长管中部。
为了保证清洁效果,所述每个主出孔上均设置有扇形喷嘴,所述扇形喷嘴呈上下相通的圆锥形,扇形喷嘴的上端为开口小的一端,扇形喷嘴的下端为开口大的一端,扇形喷嘴的上端和主出孔相连接,扇形喷嘴的下端口设置有密封平板,密封平板上开设有长条形的喷液口,喷液口的长度方向和喷淋长管长度方向相一致。将喷口设计成长条状,不仅节约喷淋的液体,还能够使得喷出的压力进一步增强,进一步提高清洁效果,能够根据需要更有针对性的清洗硅片某些区域。
本发明的有益效果是,本发明的改良型雾化喷淋结构,通过在喷淋长管内设置了第一内管和第二内管,提高了现有的喷淋压力与雾化能力,能够让硅片表面一些附着的脏污清洁更干净,并降低液体介质的使用量。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是现有技术中雾化喷淋结构的侧视图。
图2是现有技术中雾化喷淋结构的俯视图。
图3是现有技术中雾化喷淋结构的仰视图。
图4是本发明改良型雾化喷淋结构的内部结构示意图(图中箭头是表示气体和液体走向)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造