[发明专利]基板处理方法有效
申请号: | 201810876128.2 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN109509714B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 朴珉贞;郑煐宪;徐庚进 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G03F7/16 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 曹桓;张云肖 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 | ||
本发明的实施例提供一种对基板进行液体处理的方法。对基板进行液体处理的方法包括液体涂布步骤,在该液体涂布步骤中,向旋转的上述基板供给感光液来将感光液涂布于上述基板上,上述液体涂布步骤包括加速步骤,在该加速步骤中,在供给上述感光液的期间,将上述基板的旋转速度从第一速度加速至第二速度为止,通过根据上述感光液的粘度控制从上述第一速度达到上述第二速度为止的时间即达到时间,来控制与上述基板上的不同区域对应的上述感光液的厚度。
技术领域
本发明涉及对基板进行液体处理的方法(Apparatus for treating substrate)。
背景技术
为了制造半导体元件,进行如清洗、沉积、光刻、蚀刻及离子注入等的多种工艺。在这些多个工艺中的光刻工艺中,依次进行涂布、曝光及显影步骤。涂布工艺是在基板的表面涂布如抗蚀剂的感光液的工艺。曝光工艺是在形成了感光膜的基板上曝光电路图案的工艺。显影工艺是对基板的曝光处理后的区域进行选择性显影的工艺。
通常,涂布工艺是通过在基板上涂布处理感光液来形成液膜的工艺。在涂布工艺之后进行的曝光工艺及显影工艺中,液膜厚度作为重要的因素发挥作用。因此,为了调节液膜厚度,已提出了多种方案。
例如,为了调节液膜厚度,提出了在涂布感光液的涂布步骤后进行的回流工艺或扩散工艺中以多种方式调节基板旋转速度的方案。
但是,这种旋转速度的变更对液膜厚度带来的变化不充分,因此要求开发能够相对大幅控制液膜厚度的方法。
另外,使用具有彼此不同的性质的多个种类的用于基板的感光液。例如,多种感光液具有彼此不同的粘度或彼此不同的对基板的吸附力。
因此,当前难以大幅调节基板上形成的液膜厚度,并且调节特定部分的厚度时遇到非常大的困难。
发明内容
本发明提供一种能够大幅调节基板上形成的液膜厚度的方法。
另外,本发明提供一种能够与由具有彼此不同性质的感光液形成的液膜对应地调节厚度的方法。
另外,本发明提供一种能够调节特定区域的液膜厚度的方法。
本发明的实施例提供一种对基板进行液体处理的方法。该方法包括液体涂布步骤,在该液体涂布步骤中,向旋转的上述基板供给感光液来将感光液涂布于上述基板上,上述液体涂布步骤包括加速步骤,在该加速步骤中,在供给上述感光液的期间,将上述基板的旋转速度从第一速度加速至第二速度为止,通过根据上述感光液的粘度控制从上述第一速度达到上述第二速度为止的时间即达到时间,来控制与上述基板上的不同区域对应的上述感光液的厚度。
上述感光液可包括第一液体及第二液体,其中,上述第一液体用于向第一基板供给,并且具有第一粘度的第一液体,上述第二液体用于向第二基板供给,并且具有与上述第一粘度不同的第二粘度,通过控制上述达到时间,彼此不同地调节由上述第一液体形成的第一液膜与由上述第二液体形成的第二液膜各自的与不同区域对应的厚度的变化量。
上述液体涂布步骤还可包括匀速步骤,在该匀速步骤中,在进行上述加速步骤之后供给上述感光液的期间,将上述第二速度保持一定时间。在上述加速步骤中,形成上述第一液膜时上述达到时间可以是第一时间,形成上述第二液膜时上述达到时间可以是第二时间,处理上述第一基板时上述加速步骤及上述匀速步骤所需的时间的合计值可与处理上述第二基板时上述加速步骤及上述匀速步骤所需的时间的合计值相同。
上述第一粘度具有比基准值低的粘度,需要在上述基板的缘部区域增大上述液膜的厚度时,可延长上述达到时间。
上述第一粘度具有比基准值低的粘度,需要在上述基板的缘部区域减小上述液膜的厚度时,可缩短上述达到时间。
上述第二粘度具有比基准值高的粘度,需要在上述基板的中心区域增大上述液膜的厚度时,可缩短上述达到时间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造