[发明专利]一种高结合力透明导电电极的制备方法

权利要求书

1.一种高结合力透明导电电极的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

（1）配制反应液：使用去离子水配制硝酸银浓度为35～40g/L、氢氟酸浓度为90～95g/L的混合溶液并存放至1号容器中；使用去离子水配制硝酸银浓度为2～5g/L、氢氟酸浓度为90～95g/L的混合溶液并存放至2号容器中；

（2）清洗硅片：将硅片依次用洗洁精、丙酮和无水乙醇清洗，然后用氮气吹干，放入等离子体清洗机内清洗备用；

（3）旋涂覆盖层：使用旋涂机，在步骤（2）清洗后的硅片表面上旋涂一层PI溶液；

（4）固化覆盖层：将步骤（3）旋涂完成后的硅片放在烘台上加热，使旋涂的PI溶液固化为一层PI薄膜，得到PI薄膜硅片；

（5）制作牺牲层：使用旋涂机，在PI薄膜硅片的表面旋涂一层指甲油溶液，所述的指甲油溶液为由35～40%硝化纤维素、20～30%醋酸乙酯、10～15%醇酸乙酯、10～15%醋酸丁酯、6～8%樟脑、3～5%乙醇和1～2%染料组成的混合溶液，得到指甲油硅片；

（6）制作龟裂模板：将步骤（5）旋涂完成后的指甲油硅片放在烘台上加热至表面发生龟裂，然后再放入等离子体清洗机中轰击，得到龟裂模板；

（7）第一次沉积反应：将步骤（6）所制得的龟裂模板用冰醋酸溶液清洗，并放入步骤（1）所述1号容器中的混合溶液中反应2～3秒；

（8）第二次沉积反应：将步骤（7）反应后的龟裂模板放入步骤（1）所述的2号容器中的混合溶液中反应2～4秒；

（9）制作反揭层：清洗步骤（8）反应后的龟裂模板，并在其表面滴涂一层UV胶，并覆盖一层PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯）溶液，并放置在紫外光下曝光，形成反揭层；

（10）反揭：将步骤（9）所述的反揭层撕下，撕下的部分即为高结合力透明导电电极。

2.根据权利要求1所述的高结合力透明导电电极的制备方法，其特征在于，步骤（1）中使用去离子水配制硝酸银（AgNO₃）浓度为36.8g/L、氢氟酸（HF）浓度为92g/L的混合溶液并存放至1号容器中；使用去离子水配制硝酸银（AgNO₃）浓度为3.4g/L、氢氟酸（HF）浓度为92g/L的混合溶液并存放至2号容器中。

3.根据权利要求1所述的高结合力透明导电电极的制备方法，其特征在于，步骤（2）中放入等离子体清洗机内清洗的时间为300～500s。

4.根据权利要求1所述的高结合力透明导电电极的制备方法，其特征在于，步骤（3）的旋涂过程中，先在500r/min的转速下旋涂10～20s，然后在3000r/min的转速下旋涂20～30s。

5.根据权利要求4所述的高结合力透明导电电极的制备方法，其特征在于，步骤（4）中所述烘台的温度为85～90℃，加热时间为40～60min。

6.根据权利要求1所述的高结合力透明导电电极的制备方法，其特征在于，步骤（5）中所述的指甲油溶液为由40%硝化纤维素、25%醋酸乙酯、13%醇酸乙酯、10%醋酸丁酯、6%樟脑、5%乙醇和1%染料组成的混合溶液。

7.根据权利要求1所述的高结合力透明导电电极的制备方法，其特征在于，步骤（5）的旋涂过程中，先在500r/min的转速下旋涂10～20s，然后在3000r/min的转速下旋涂20～30s。

8.根据权利要求1～7任一项所述的高结合力透明导电电极的制备方法，其特征在于，步骤（6）中烘台的加热温度为40～60℃，时间为10～30min，使用等离子体清洗机轰击的时间为300～600s。

9.根据权利要求8所述的高结合力透明导电电极的制备方法，其特征在于，步骤（7）中将步骤（6）所制得的龟裂模板用冰醋酸溶液清洗的时间为20～40min。

10.根据权利要求1所述的高结合力透明导电电极的制备方法，其特征在于，步骤（9）中在紫外光下曝光的时间为8～10min。