[发明专利]一种扫描式UVLED曝光机及其扫描方法

说明书

本发明提供的扫描式UVLED曝光机及其扫描方法，UVLED扫描光源单元用于出射光束；线阵CCD光源探测单元设置于所述UVLED扫描光源单元的出光面，线阵CCD光源探测单元用于扫描所述UVLED扫描光源单元出射的光束及探测光束的近场光强，并将近场光强反馈至所述UVLED光源控制单元；所述UVLED光源控制单元获取所述近场光强分布并根据所述近场光强对所述UVLED扫描光源单元的电源进行控制，保证UVLED扫描光源单元的电源稳定，以使所述UVLED扫描光源单元出射的光束在曝光面均匀分布，从而可以实现在生产作业间歇期对光源均匀性进行快速检测与调整，降低光源维护与调整的难度并提高生产效率和良品率。

技术领域

本发明涉及曝光机技术领域，尤其涉及一种扫描式UVLED曝光机。

背景技术

传统曝光机采用的是平行光幅面照射方法，即灯源和曝光框架在曝光的时候是静止的。所以传统曝光机必须配置复杂的光学系统如复眼、大面积球面主镜等，尤其是决定曝光面积的球面镜，随着曝光面积的增大，球面镜的成本往往成几何级数的增加。而且因为曝光面积大导致单位面积的曝光强度受到限制，后续的曝光均匀性调整难度大，光偏角相对较大，不适用于接近式曝光。

扫描式曝光机是利用一维阵列UVLED光源，在与阵列正交方向上进行扫描，将菲林上的图形转移到基片上，通过显影、腐蚀或者刻蚀完成产品的制作。为实现高的加工精度，扫描光曝光机采用了350nm-410nm之间的紫外光源作为照明光源。扫描光曝光机已经成为目前微电子电路制造的重要设备。现在正处于汞灯曝光机向UV-LED曝光机转型的时代，UV-LED具有效率高、寿命长和谱线窄等优点，是替换汞灯的理想光源。

目前市面上的扫描式UVLED曝光机，其线光源或面光源的均匀性在产品出厂时就决定了，在流水线工作环境下，UVLED会随机发生由例如受潮引起导电率变化、温度过高引起强度衰减等情况，此时会导致光源整体均匀性下降且不容易被发现。

发明内容

有鉴如此，有必要针对现有技术存在的曝光不均匀的缺陷，提供一种曝光均匀的扫描式UVLED曝光机。

为实现上述目的，本发明采用下述技术方案：

一方面，本发明提供了一种扫描式UVLED曝光机，包括：UVLED扫描光源单元、电性连接所述UVLED扫描光源单元的线阵CCD光源探测单元及电性连接所述UVLED扫描光源单元的UVLED光源控制单元，其中：

所述UVLED扫描光源单元用于出射光束；

所述线阵CCD光源探测单元设置于所述UVLED扫描光源单元的出光面，所述线阵CCD光源探测单元用于扫描所述UVLED扫描光源单元出射的光束，及探测所述光束的近场光强，并将所述近场光强反馈至所述UVLED光源控制单元；

所述UVLED光源控制单元获取所述近场光强分布并根据所述近场光强对所述UVLED扫描光源单元的电源进行控制，保证UVLED扫描光源单元的电源稳定，以使所述UVLED扫描光源单元出射的光束在曝光面均匀分布。

在一些较佳实施例中，所述UVLED扫描光源单元包括：基板、安装于所述基板上的若干个UVLED以及对应于所述UVLED紧密贴合的自由曲面准直透镜，所述UVLED发出的紫外光线经过所述自由曲面准直透镜准直匀化后，在目标面上形成均匀分布的矩形扫描光斑。

在一些较佳实施例中，所述UVLED扫描光源单元还包括散热热沉，所述基板设置于所述散热热沉上。

在一些较佳实施例中，所述散热热沉为水冷散热或者风冷散热。

在一些较佳实施例中，所述UVLED的波长在365nm-405nm之间。

在一些较佳实施例中，若干所述UVLED的波长相同或者不同。