[发明专利]一种扫描式UVLED曝光机及其扫描方法在审
申请号: | 201810857588.0 | 申请日: | 2018-07-31 |
公开(公告)号: | CN108732872A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 杜春雷;夏良平;王乡;陈苗 | 申请(专利权)人: | 珠海迈时光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 曹卫良 |
地址: | 519000 广东省珠海市香洲区南屏*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扫描光源 近场光 光源控制单元 光源探测 扫描 线阵CCD 曝光机 扫描式 出射 光源均匀性 出射光束 单元设置 电源稳定 快速检测 生产效率 生产作业 探测光束 出光面 间歇期 良品率 曝光面 场光 光源 电源 反馈 保证 维护 | ||
1.一种扫描式UVLED曝光机,其特征在于,包括:UVLED扫描光源单元、电性连接所述UVLED扫描光源单元的线阵CCD光源探测单元及电性连接所述UVLED扫描光源单元的UVLED光源控制单元,其中:
所述UVLED扫描光源单元用于出射光束;
所述线阵CCD光源探测单元设置于所述UVLED扫描光源单元的出光面,所述线阵CCD光源探测单元用于扫描所述UVLED扫描光源单元出射的光束,及探测所述光束的近场光强,并将所述近场光强反馈至所述UVLED光源控制单元;
所述UVLED光源控制单元获取所述近场光强分布并根据所述近场光强对所述UVLED扫描光源单元的电源进行控制,保证UVLED扫描光源单元的电源稳定,以使所述UVLED扫描光源单元出射的光束在曝光面均匀分布。
2.如权利要求1所述的扫描式UVLED曝光机,其特征在于,所述UVLED扫描光源单元包括:基板、安装于所述基板上的若干个UVLED以及对应于所述UVLED紧密贴合的自由曲面准直透镜,所述UVLED发出的紫外光线经过所述自由曲面准直透镜准直匀化后,在目标面上形成均匀分布的矩形扫描光斑。
3.如权利要求2所述的扫描式UVLED曝光机,其特征在于,所述UVLED扫描光源单元还包括散热热沉,所述基板设置于所述散热热沉上。
4.如权利要求2所述的扫描式UVLED曝光机,其特征在于,所述散热热沉为水冷散热或者风冷散热。
5.如权利要求2所述的扫描式UVLED曝光机,其特征在于,所述UVLED的波长在365nm-405nm之间。
6.如权利要求5所述的扫描式UVLED曝光机,其特征在于,若干所述UVLED的波长相同或者不同。
7.如权利要求1所述的扫描式UVLED曝光机,其特征在于,所述线阵CCD光源探测单元采集近场光强,所述UVLED光源控制单元根据所述近场光强运用蒙特卡洛模拟法确定UVLED电流浮动范围和阈值,取得UVLED电流信号数字量化输出值DQ,并根据所述DQ提供稳定的DQ电源,以使所述UVLED扫描光源单元出射的光束在曝光面均匀分布。
8.一种如权利要求1所述的扫描式UVLED曝光机的扫描方法,其特征在于,包括下述步骤:
步骤S110:所述UVLED扫描光源单元出射光束;
步骤S120:所述线阵CCD光源探测单元扫描所述UVLED扫描光源单元出射的光束及探测所述光束的近场光强,并将所述近场光强反馈至所述UVLED光源控制单元;
步骤S130:所述UVLED光源控制单元获取所述近场光强并根据所述近场光强对所述UVLED扫描光源单元的电源进行控制,保证UVLED扫描光源单元的电源稳定,以使所述UVLED扫描光源单元出射的光束在曝光面均匀分布。
9.如权利要求8所述的扫描式UVLED曝光机的扫描方法,其特征在于,在步骤S130中,所述UVLED光源控制单元获取所述近场光强并根据所述近场光分布对所述UVLED扫描光源单元进行控制,以使所述UVLED扫描光源单元出射的光束在曝光面均匀分布,包括下述步骤:
步骤S131:所述UVLED光源控制单元获取所述近场光强;
步骤S132:所述UVLED光源控制单元根据所述近场光强运用蒙特卡洛模拟法确定UVLED电流浮动范围和阈值,取得UVLED电流信号数字量化输出值DQ;
步骤S133:所述UVLED光源控制单元根据所述DQ为所述UVLED扫描光源单元提供稳定的DQ电源;
步骤S134:所述线阵CCD光源探测单元持续将所述近场光强反馈至所述UVLED光源控制单元,若所述近场光强强度稳定,返回上一步;若所述近场光强单点强度异常,进行下一步;
步骤S135:所述线阵CCD光源探测单元对探测的近场光强进行图像处理,对强度异常的单颗或多颗UVLED进行寻址,得到异常的UVLED;
步骤S136:所述UVLED光源控制单元获取异常的UVLED,并返回步骤S132。
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