[发明专利]子像素排列结构、掩膜装置、显示面板及显示装置在审
申请号: | 201810844277.0 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109037287A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 张元其;嵇凤丽;徐鹏;杜森 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素 第一子像素阵列 显示装置 像素 子像素排列 显示面板 掩膜装置 列方向 分辨率 申请 间隔排列 排列结构 显示效果 种子像素 减小 包围 图像 | ||
本申请公开了一种子像素排列结构、掩膜装置、显示面板及显示装置,属于显示领域。所述子像素排列结构包括:多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素和多个第四子像素,多个第一子像素和多个第二子像素组成第一子像素阵列,且第一子像素阵列中的第一子像素和第二子像素在行方向和列方向上均一一间隔排列;在行方向和列方向中的至少一个方向上,第一子像素阵列中每相邻的两个子像素之间设置有一个第三子像素;每个第四子像素均被所述第一子像素阵列中与所述每个第四子像素相邻的四个子像素包围。本申请解决了由于像素尺寸的减小程度有限,限制显示装置的分辨率的提升的问题,提升了显示装置的分辨率和显示效果。本申请用于图像的显示。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种子像素排列结构、掩膜装置、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,对于显示装置的显示效果的要求越来越高,且显示装置的显示效果与其包括的像素个数正相关。
相关技术中,显示装置包括阵列排布的多个像素,且每个像素包括沿行方向依次排列的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。并且,通常可以通过减小子像素的尺寸来增多显示装置中子像素的个数,进而增多像素的个数,以及增大显示装置的分辨率。
但由于工艺限制,子像素尺寸的减小程度有限,因此,限制了显示装置的分辨率的提升。
发明内容
本申请提供了一种子像素排列结构、掩膜装置、显示面板及显示装置,可以解决由于工艺限制,子像素尺寸的减小程度有限,限制显示装置的分辨率的提升的问题。所述技术方案如下:
一方面,提供了一种子像素排列结构,所述子像素排列结构包括:多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素和多个第四子像素,
所述多个第一子像素和所述多个第二子像素组成第一子像素阵列,且所述第一子像素阵列中的所述第一子像素和所述第二子像素在行方向和列方向上均一一间隔排列;
在所述行方向和所述列方向中的至少一个方向上,所述第一子像素阵列中每相邻的两个子像素之间设置有一个所述第三子像素;每个第四子像素均被所述第一子像素阵列中与所述每个第四子像素相邻的四个子像素包围。
可选的,所述多个第三子像素和所述多个第四子像素组成第二子像素阵列,且所述第二子像素阵列包括沿所述列方向一一间隔排列的多行所述第三子像素和多行所述第四子像素,
所述第一子像素阵列中的多列子像素与所述第二子像素阵列中的多列子像素沿所述行方向一一间隔排列。
可选的,所述第一子像素的面积与所述第二子像素的面积相同,且所述第一子像素的面积大于或等于所述第四子像素的面积,所述第四子像素的面积大于所述第三子像素的面积。
可选的,对于所述第一子像素阵列中包围每个所述第四子像素的四个子像素,所述四个子像素的中心构成矩形的四个顶点,所述第一子像素阵列中所有子像素的中心构成呈棋牌格排列的多个矩形的顶点。
可选的,心构成所述矩形对角线上的两个顶点的两个子像素的颜色相同。
可选的,所述子像素排列结构中任意两个相邻的子像素的间距相等。
可选的,所述子像素排列结构中的子像素均呈多边形,且任意两个相邻的子像素中相对的两条边平行。
可选的,所述第一子像素与所述第二子像素均呈八边形,所述第三子像素呈矩形,所述第四子像素呈六边形。
可选的,所述第一子像素、所述第二子像素和所述第四子像素均呈八边形,所述第三子像素呈正方形。
可选的,所述多边形为圆角多边形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的