[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板及液晶显示器在审
申请号: | 201810837545.6 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN108828843A | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 聂晓辉;张嘉伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔离物 阵列基板 平坦层 薄膜晶体管器件 配向膜层 液晶显示器 第一区域 显示面板 凹槽状 衬底 制备 彩膜基板 滑动 铺设 支撑 | ||
1.一种阵列基板,包括一衬底,其特征在于,所述阵列基板还包括:
一薄膜晶体管器件层,所述薄膜晶体管器件层设置在所述衬底上;
一平坦层,所述平坦层铺设在所述薄膜晶体管器件层上;
一配向膜层,所述配向膜层位于所述平坦层之上;
其中,在所述配向膜层上形成有多个隔离物区域,分别对应于用来支撑所述阵列基板和一彩膜基板的隔离物,其中所述隔离物区域呈凹槽状,所述隔离物区域能够限制相对应的隔离物的滑动范围;
所述平坦层形成有多个与所述隔离物区域相对应的第一区域,所述第一区域也相应地呈凹槽状。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述配向膜层的隔离物区域的厚度与所述配向膜层除所述隔离物区域外的非隔离物区域的厚度相同。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述平坦层的第一区域的凹槽深度为所述平坦层厚度的五分之一。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管器件层包括由下而上依次设置的缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层和源漏极。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述平坦层与所述配向膜层之间进一步包括由下而上设置的公共电极层、钝化层和像素电极层。
6.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至5任一项所述的阵列基板、一与所述阵列基板相对设置的彩膜基板、以及多个设置于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的隔离物,其中所述隔离物用于支撑所述阵列基板和所述彩膜基板。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述隔离物为主隔离物,且所述主隔离物沿垂直于所述阵列基板的横截面呈倒梯形设置。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述隔离物靠近所述阵列基板的一端的第一宽度小于所述隔离物区域的第二宽度,且W2=W1+N,其中W2为第二宽度,W1为第一宽度,N为第二宽度与第一宽度之间的间隙范围,N的取值范围为10~15μm。
9.一种液晶显示器,其特征在于,包括如权利要求6所述的显示面板、用于驱动所述显示面板的驱动电路以及用于向所述显示面板提供背光源的背光模组。
10.一种如权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(a)提供一衬底;
(b)在所述衬底上形成一薄膜晶体管器件层;
(c)在所述薄膜晶体管器件层上形成一平坦层;
(d)通过半色调掩模板并利用曝光、显影工艺在所述平坦层上形成呈凹槽状的第一区域,所述第一区域与用于支撑阵列基板和彩膜基板的隔离物对顶位置相对应;
(e)将配向液液滴至配向板上,并由配向板转印至阵列基板,以在位于具有第一区域的平坦层之上形成一配向膜层,所述配向膜层具有与所述隔离物对应且呈凹槽状的隔离物区域。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述配向液的滴下量是通过机台的设置参数而控制的,配向液的液滴间距是通过配向板的设计而决定的。
12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,在步骤(d)和步骤(e)之间进一步包括步骤:
在具有第一区域的平坦层上依次形成公共电极层、钝化层和像素电极层;
通过曝光和刻蚀工艺在像素电极层上形成图形,以去除与所述隔离物对应的部分像素电极层。
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