[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
申请号: | 201810834043.8 | 申请日: | 2014-02-21 |
公开(公告)号: | CN108807190A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 林少雄;周辉星 | 申请(专利权)人: | 先进封装技术私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/00;H01L23/16;H01L23/495;H01L23/498;H01L23/544 |
代理公司: | 北京世峰知识产权代理有限公司 11713 | 代理人: | 卓霖;许向彤 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支撑组件 半导体结构 锚合 第一表面 组件配置 强化层 耦接 制造 配置 | ||
本发明有关于一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括层组件、一个或多个支撑组件及一个或多个锚合组件,支撑组件配置在层组件的第一表面上,锚合组件配置在层组件内且连接至一个或多个支撑组件,以将一个或多个支撑组件耦接至层组件,进而强化层组件。
本申请是申请号为201480023460.4、申请日为2014年2月21日、发明名称为“半导体结构及其制造方法”的PCT国际发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明有关于一种半导体结构及其制造方法。
背景技术
如智能型手机、平板计算机、与便携计算机的电子装置的问世已经造成高效能集成电路(IC)的需求增加。这些电子装置不断地朝向更高功能性与尺寸微型化发展。为了跟上这一趋势,集成电路封装变得更小、更薄、且更致密。
可以通过增加配线密度与减少集成电路封装中所使用的基板的厚度,以减少集成电路封装的尺寸与厚度。然而,由于基板的厚度减少,在操作与接续组装过程步骤的期间,基板变得更易于损毁(例如破裂或凹陷)。当用于基板的材料具有高的挠曲模数(为了达到低的热膨胀系数(CTE))时,这种情况特别常见。当为了减少制造成本而将基板的尺寸增加,以在各个基板上容纳更多装置单元时,此种情况更加明显。
因此,为了寻求解决上述问题中的至少一个问题,需要提供一种半导体结构及其制造方法。
发明内容
根据本发明的第一方面,提供一种半导体结构,包括层组件、一个或多个支撑组件及一个或多个锚合组件,支撑组件配置于层组件的第一表面上,锚合组件配置于层组件内且连接于一个或多个支撑组件,以耦接一个或多个支撑组件于层组件,进而强化层组件。
在一实施例中,一个或多个锚合组件中的至少一个的一部分可以暴露于层组件的第二表面上,第二表面相对于第一表面。
在一实施例中,半导体结构还可以包括一个或多个加强组件,加强组件配置于层组件的第二表面的至少一部分上,其中一个或多个锚合组件可以连接于一个或多个加强组件,以耦接一个或多个加强组件于层组件,进而更加强化层组件。
在一实施例中,半导体结构还可以包括一个或多个加强组件,加强组件配置于一个或多个支撑组件的至少一部分上,以进一步加强化层组件。
在一实施例中,一个或多个支撑组件可以包括磁性材料。一个或多个支撑组件还可以包括涂层,涂层是配置于磁性材料的至少一部分上方。
在一实施例中,一个或多个支撑组件可以配置于层组件的边缘部分。在一实施例中,一个或多个支撑组件的一部分可以延伸至层组件的边缘部分外,以限定悬挂部分。悬挂部分包括一个或多个贯穿孔。
在一实施例中,层组件可以包括具有一个或多个电子组件的绝缘基板层组件。
在一实施例中,半导体结构可以包括支撑组件,其中所述一个支撑组件环绕承载组件的边缘延伸。
在一实施例中,一个或多个锚合组件种的至少一个可以是柱体或圆柱。
在一实施例中,半导体结构还可以包括另外的层组件、以及一个或多个另外的锚合组件,另外的锚合组件可以配置于另外的层组件内且连接于层组件的一个或多个锚合组件,以强化层组件与另外的层组件二者。
根据本发明的第二方面,提供一种半导体结构的制造方法,该方法包括形成一个或多个锚合组件于载件上方、封装一个或多个锚合组件于层组件内、以及选择性地蚀刻载件,以形成一个或多个支撑组件。
在一实施例中,方法还可以包括形成一个或多个电子组件于载件上。
在一实施例中,方法还可以包括形成一个或多个贯穿孔于一个或多个支撑组件内。
在一实施例中,方法还可以包括平面化层组件,以暴露一个或多个锚合组件中的至少一个的至少一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造