[发明专利]存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与电子装置

说明书

本发明公开了一种存取闪存模块的方法，其包括以下步骤：自主装置接收数据及对应于该数据的元数据；对该数据进行循环冗余校验操作以产生循环冗余校验码；将该元数据与该循环冗余校验码进行编码操作以产生调整后校验码；将该数据与该调整后校验码一并进行编码操作以产生编码后数据，其中该编码后数据包括了该数据、该调整后校验码以及对应于该数据及该调整后校验码的错误更正码；以及将该编码后数据以及该元数据写入至该闪存模块的区块中的数据页。

技术领域

本发明是有关于闪存，尤指一种存取闪存模块的方法。

背景技术

当闪存控制器将来自主装置的数据写入至闪存模块中的数据页时，会同时地在该数据页的备用区域(spare area)中写入对应于该数据的元数据(metadata)，以供后续参考使用。上述的元数据可以由闪存控制器所产生，或是由主装置所提供。然而，当该元数据是由主装置所提供时，由于该元数据在写入到该数据页的过程中可能会暂时地存储在闪存控制器的静态随机存取内存(Static Random Access Memory，SRAM)以及外部的动态随机存取内存(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，故在这些阶段有可能会造成该元数据的数据有错误产生，进而使得写入到该数据页的内容也是错误的，影响到后续数据读取时的困扰。

发明内容

因此，本发明的目的之一在于提供一种存取闪存模块的方法，其可以将来自主装置的元数据进行保护，以避免先前技术中所述的因为静态随机存取内存或是动态随机存取内存存取所造成的元数据错误的问题。

在本发明的一个实施例中，揭露一种存取闪存模块的方法，其包括以下步骤：自主装置接收数据及对应于该数据的元数据；对该数据进行循环冗余校验操作以产生循环冗余校验码；将该元数据与该循环冗余校验码进行编码操作以产生调整后校验码；将该数据与该调整后校验码一并进行编码操作以产生编码后数据，其中该编码后数据包括了该数据、该调整后校验码以及对应于该数据及该调整后校验码的错误更正码；以及将该编码后数据以及该元数据写入至该闪存模块的区块中的数据页。

在本发明的另一个实施例中，揭露了一种闪存控制器，其中该闪存控制器是用来存取闪存模块，且该闪存控制器包括只读存储器、微处理器以及多个编译码器，其中该只读存储器用来存储程序代码，且该微处理器用来执行该程序代码以控制对该闪存模块的存取。在闪存控制器的操作中，当该闪存控制器自主装置接收数据及对应于该数据的元数据时，该多个编译码器对该数据进行循环冗余校验操作以产生循环冗余校验码，将该元数据与该循环冗余校验码进行编码操作以产生调整后校验码，并将该数据与该调整后校验码一并进行编码操作以产生编码后数据，其中该编码后数据包括了该数据、该调整后校验码以及对应于该数据及该调整后校验码的错误更正码；以及该微处理器将该编码后数据以及该元数据写入至该闪存模块的区块中的数据页。

在本发明的另一个实施例中，揭露了一种电子装置，其包括闪存模块以及闪存控制器。当该闪存控制器自主装置接收数据及对应于该数据的元数据时，该闪存控制器对该数据进行循环冗余校验操作以产生循环冗余校验码，将该元数据与该循环冗余校验码进行编码操作以产生调整后校验码，并将该数据与该调整后校验码一并进行编码操作以产生编码后数据，其中该编码后数据包括了该数据、该调整后校验码以及对应于该数据及该调整后校验码的错误更正码；以及该闪存控制器将该编码后数据以及该元数据写入至该闪存模块的区块中的数据页。

附图说明

图1为依据本发明实施例的一种记忆装置的示意图。

图2为根据本发明实施例的存取闪存模块的方法的流程图。

图3为第一笔数据及对应的元数据的示意图。

图4为根据本发明实施例的循环冗余校验操作以及互斥或运算的示意图。

图5为根据本发明实施例的错误更正码组块以及区段组块的示意图。

图6为根据本发明实施例的读取闪存模块的方法的流程图。