[发明专利]氧化处理提纯金属硅的方法在审
| 申请号： | 201810796627.0 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN108658080A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 羊实;庹开正 | 申请（专利权）人： | 江苏斯力康科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 唐邦英 |
| 地址： | 224000 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属硅 提纯 氧化处理 高纯金属硅 太阳能级硅 定向凝固 提纯效果 真空熔炼 熔融液 冶炼法 除杂 吹氧 含渣 去除 熔融 保温 上层 | ||
1.氧化处理提纯金属硅的方法，其特征在于，包括真空熔炼金属硅并底部吹氧，保温，去除上层和底层含渣熔融液而完成通氧除杂，再通过定向凝固进一步提纯高纯金属硅。
2.根据权利要求1所述的氧化处理提纯金属硅的方法，其特征在于，所述熔炼金属硅的具体步骤为：在石英坩埚中加入金属硅，并将所述石英坩埚置于真空感应熔炼炉中，开启真空感应熔炼炉对石英坩埚中的金属硅加热，并同时抽真空，设定真空度为1-100Pa，设定熔炼温度为1450℃-1750℃。
3.根据权利要求1或2所述的氧化处理提纯金属硅的方法，其特征在于，所述通氧除杂的具体步骤为：当真空熔炼炉的加热温度达到1500℃-1700℃时，向石英坩埚底部通入氧气，并在设定的熔炼温度下保温1-2小时，保温完成后，停止通氧，并继续保温2-4小时，最后并抽取石英坩埚顶部和底部的熔融液体。
4.根据权利要求1或2所述的氧化处理提纯金属硅的方法，其特征在于，在真空熔炼金属硅之前向金属硅中加入造渣剂，所述造渣剂为钠钙硅酸盐。
5.根据权利要求4所述的氧化处理提纯金属硅的方法，其特征在于，所述造渣剂还包括碱金属氟化物。
6.根据权利要求1、2或5任一项所述的氧化处理提纯金属硅的方法，其特征在于，所述定向凝固的具体步骤为：将去除造渣剂的金属硅熔融液进行定向凝固。
7.根据权利要求1、2或5任一项所述的氧化处理提纯金属硅的方法，其特征在于，所述定向凝固中的冷却速度为0.5-1℃/min。
8.根据权利要求1、2或5任一项所述的氧化处理提纯金属硅的方法，其特征在于，所述定向凝固中的石英坩埚的下降速度为0.1-0.5mm/min。
9.根据权利要求1、2或5任一项所述的氧化处理提纯金属硅的方法，其特征在于，所述金属硅在加入造渣剂之前还需要进行粉碎。
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