[发明专利]DRAM的泵浦电路及泵浦电流产生方法有效
申请号: | 201810789840.9 | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN110415745B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 许庭硕 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/4063 | 分类号: | G11C11/4063;H03K3/012 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | dram 电路 电流 产生 方法 | ||
本公开提供一种泵浦电路,包括:一温度感测模块,经配置以测量一动态随机存取存储器(DRAM)的温度;一振荡模块,耦合于该温度感测模块,并经配置以根据该DRAM的温度产生一时钟信号;以及一泵浦模块,耦合于该振荡模块,并经配置以产生一泵浦电流以驱动该DRAM,其中该泵浦电流是根据该时钟时钟信号的一振荡频率而产生。当该DRAM的温度变化时,该时钟信号的该振荡频率根据该DRAM的温度相应地变化,该泵浦电流根据该时钟信号的该振荡频率相应地变化。
技术领域
本公开主张2018/04/30申请的美国正式申请案第15/967,069号的优先权及益处,该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
本公开涉及一种电路、一种动态随机存取存储器(dynamic random accessmemory,DRAM)以及一种电流产生方法,特别涉及一种泵浦电路、一种DRAM以及一种泵浦电流产生方法。
背景技术
传统的DRAM包括泵浦电路,该泵浦电路包括泵浦模块,该泵浦模块经配置以在DRAM的供应电压小于参考电压时产生DRAM的泵浦电压。泵浦电路还包括一个振荡模块,经配置以将时钟信号发送到泵浦模块,借此启动泵浦模块的泵浦程序。
通常,在传统的DRAM中,时钟信号的振荡频率与振荡模块的振荡频率相同,并且与泵浦模块产生的泵浦电流具有正相关性。当传统的DRAM的温度降低时,传统DRAM的更新频率不需要保持在高频,因此泵浦电流应该降低。然而,由于时钟信号的振荡频率是固定的,所以当传统的DRAM的温度降低时,泵浦电流并不会降低。如此,产生了功耗问题。
上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术,并未承认上文的“现有技术”说明公开了本公开的标的,不构成本公开的现有技术,且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
发明内容
本公开提供一种泵浦电路,该泵浦电路包括:一温度感测模块,经配置以测量一动态随机存取存储器(DRAM)的温度;一振荡模块,耦合于该温度感测模块,并经配置以根据该DRAM的温度产生一时钟信号;以及一泵浦模块,耦合于该振荡模块,并经配置以产生一泵浦电流以驱动该DRAM,其中该泵浦电流是根据该时钟信号的一振荡频率而产生。当该DRAM的温度变化时,该时钟信号的该振荡频率根据该DRAM的温度相应地变化,该泵浦电流根据该时钟信号的该振荡频率相应地变化。
在本公开实施例中,该振荡模块包括:一第一振荡通道、一第二振荡通道和一第三振荡通道。该第一振荡通道耦合于该温度感测模块和该泵浦模块之间,并经配置以产生一第一振荡频率。该第二振荡通道并联耦合于该第一振荡通道,并经配置以产生一第二振荡频率。该第三振荡通道并联耦合于该第一振荡通道和该第二振荡通道,并经配置以产生一第三振荡频率。在本公开实施例中,该第一振荡频率小于该第二振荡频率,该第二振荡频率小于该第三振荡频率。
在本公开实施例中,该第一振荡通道具有一第一电阻和一第一电容,该第二振荡通道具有一第二电阻和一第二电容,该第三振荡通道具有一第三电阻和一第三电容。在本公开实施例中,该第一电阻大于该第二电阻,该第二电阻大于该第三电阻。在本公开实施例中,该第一电容大于该第二电容,该第二电容大于该第三电容。
在本公开实施例中,该振荡模块包括一振荡通道,耦合于该温度感测模块和该泵浦模块之间。在本公开实施例中,该振荡通道具有一可变电阻和一可变电容。
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