[发明专利]DRAM的泵浦电路及泵浦电流产生方法

权利要求书

1.一种泵浦电路，包括：

一温度感测模块，经配置以测量一动态随机存取存储存储器(DRAM)的温度；

一振荡模块，耦合于该温度感测模块，并经配置以根据该DRAM的温度产生一时钟信号；以及

一泵浦模块，耦合于该振荡模块，并经配置以产生一泵浦电流以驱动该DRAM，其中该泵浦电流是根据该时钟信号的一振荡频率而产生；

其中，当该DRAM的温度变化时，该时钟信号的该振荡频率根据该DRAM的温度相应地变化，该泵浦电流根据该时钟信号的该振荡频率相应地变化；

其中，该振荡模块包括一振荡通道，耦合于该温度感测模块和该泵浦模块之间；以及该振荡通道具有一可变电阻和一可变电容。

2.如权利要求1所述的泵浦电路，其中，该振荡模块包括：

一第一振荡通道，耦合于该温度感测模块和该泵浦模块之间，并经配置以产生一第一振荡频率；以及

一第二振荡通道，并联耦合于该第一振荡通道，并经配置以产生一第二振荡频率；

其中，该第一振荡频率小于该第二振荡频率。

3.如权利要求2所述的泵浦电路，其中，该振荡模块进一步包括：

一第三振荡通道，并联耦合于该第一振荡通道和该第二振荡通道，并经配置以产生一第三振荡频率；

其中，该第二振荡频率小于该第三振荡频率。

4.如权利要求3所述的泵浦电路，其中，该第一振荡通道具有一第一电阻和一第一电容，该第二振荡通道具有一第二电阻和一第二电容，该第一电阻大于该第二电阻，该第一电容大于该第二电容。

5.如权利要求4所述的泵浦电路，其中，该第三振荡通道具有一第三电阻和一第三电容，该第二电阻大于该第三电阻，该第二电容大于该第三电容。

6.一种动态随机存取存储存储器(DRAM)，包括：

一存储存储器阵列；

多个字元线，设置于该存储存储器阵列中；以及

一泵浦电路，耦合于该多个字元线并经配置以提供一泵浦电流至该多个字元线；

其中，该泵浦电路包括：

一温度感测模块，经配置以测量一动态随机存取存储器(DRAM)的温度；以及

一振荡模块，耦合于该温度感测模块，并经配置以根据该DRAM的温度产生一时钟信号；以及

一泵浦模块，耦合于该振荡模块，并经配置以产生一泵浦电流以驱动该DRAM，其中该泵浦电流是根据该时钟信号的一振荡频率而产生；

其中，当该DRAM的温度变化时，该时钟信号的该振荡频率根据该DRAM的温度相应地变化，该泵浦电流根据该时钟信号的该振荡频率相应地变化；

其中，该振荡模块包括一振荡通道，耦合于该温度感测模块和该泵浦模块之间；以及该振荡通道具有一可变电阻和一可变电容。

7.如权利要求6所述的DRAM，其中，该振荡模块包括：

一第一振荡通道，耦合于该温度感测模块和该泵浦模块之间，并经配置以产生一第一振荡频率；以及

一第二振荡通道，并联耦合于该第一振荡通道，并经配置以产生一第二振荡频率；

其中，该第一振荡频率小于该第二振荡频率。

8.如权利要求7所述的DRAM，其中，该振荡模块进一步包括：

一第三振荡通道，并联耦合于该第一振荡通道和该第二振荡通道，并经配置以产生一第三振荡频率；

其中，该第二振荡频率小于该第三振荡频率。

9.如权利要求8所述的DRAM，其中，该第一振荡通道具有一第一电阻和一第一电容，该第二振荡通道具有一第二电阻和一第二电容，该第一电阻大于该第二电阻，该第一电容大于该第二电容。

10.如权利要求9所述的DRAM，其中，该第三振荡通道具有一第三电阻和一第三电容，该第二电阻大于该第三电阻，该第二电容大于该第三电容。