[发明专利]二维材料前驱体氢化制备方法

权利要求书

1.二维材料前驱体氢化制备方法，其特征在于，按照下述步骤进行：按照等摩尔比将Ge、Te两种金属进行真空封装和处理以得到GeTe晶体，由20—25摄氏度在350—450min内升至1000—1100℃并维持1000—1200min再以0.5—3℃/min降温至20—25摄氏度；将GeTe晶体冲洗除杂干燥后，置于氢气气氛中进行处理得到二维材料前驱体GeTeH，自20—25摄氏度以每分钟1—5摄氏度的升温速度升温至200—600摄氏度并保温20—80小时，再自然冷却至室温20—25摄氏度；使用四氟胶带反复粘撕，得到二维材料2D-GeTeH。

2.根据权利要求1所述的二维材料前驱体氢化制备方法，其特征在于，将Ge、Te两种金属进行真空封装和处理时，真空度达到0.1MPa以下。

3.根据权利要求1所述的二维材料前驱体氢化制备方法，其特征在于，将Ge、Te两种金属进行真空封装和处理时，由20—25摄氏度在380—400min内升至1000—1050℃并维持1100—1200min再以0.5—1℃/min降温至20—25摄氏度。

4.根据权利要求1所述的二维材料前驱体氢化制备方法，其特征在于，将GeTe晶体置于抽滤装置中，使用甲苯和乙醇依次冲洗3次，以冲洗除杂。

5.根据权利要求1所述的二维材料前驱体氢化制备方法，其特征在于，将GeTe晶体冲洗除杂干燥后，置于氢气气氛中进行处理得到二维材料前驱体GeTeH，自20—25摄氏度以每分钟1—3摄氏度的升温速度升温至400—600摄氏度并保温24—72小时，再自然冷却至室温20—25摄氏度。

6.根据权利要求1所述的二维材料前驱体氢化制备方法，其特征在于，将GeTe晶体冲洗除杂干燥后，置于氢气气氛中进行处理时，真空度为50—100bar。