[发明专利]针对MALDI质谱的制备强化和使用方法

权利要求书

1.一种基质辅助激光解吸电离(MALDI)质谱(MS)基底，其包含基本平面的表面和多个样品容留结构；

每个所述容留结构含有置于基底内的一处或多处凹陷，置于基底上的一处或多处凸起，或置于基底内的一处或多处凹陷和置于基底上的一处或多处凸起；并且

每个所述容留结构构造为在样品于基底上干燥时将含有MALDI MS基质的样品分隔在基底的特定位点，并构造为在样品干燥后容留样品。

2.如权利要求1所述的质谱基底，其中每个所述容留结构含有一个或多个脊或点。

3.如权利要求2所述的质谱基底，其中所述一个或多个脊形成在所述容留结构的表面和基本平坦的基底表面之间。

4.如权利要求2或3所述的质谱基底，其中所述一个或多个脊形成在所述容留结构的两个表面之间。

5.如权利要求1-4中任一项所述的质谱基底，其中每个所述容留结构含有基本平坦的表面或基本弯曲的表面，或含有基本平坦的表面和基本弯曲的表面。

6.如权利要求1-5中任一项所述的质谱基底，其中每个所述容留结构选自井、脊和凸柱。

7.如权利要求6所述的质谱基底，其含有井。

8.如权利要求7所述的质谱基底，其中所述井的型面包括矩形、多边形、三角形、圆形、蛋形或椭圆形。

9.如权利要求7或8所述的质谱基底，其中所述井在基底表面处的宽度为约2毫米或更小，其深度为约100μm或更小。

10.如权利要求7-9中任一项所述的质谱基底，其中所述井的壁含有基本弯曲的表面或基本平坦的表面，或含有基本弯曲的表面和基本平坦的表面。

11.如权利要求7-10中任一项所述的质谱基底，其中每个井的底含有基本弯曲的表面或基本平坦的表面，或含有基本弯曲的表面和基本平坦的表面。

12.如权利要求6所述的质谱基底，其含有脊或凸柱。

13.如权利要求12所述的质谱基底，所述脊在含有井的容留结构中。

14.如权利要求13所述的质谱基底，其中每个井为抬升井。

15.如权利要求13或14所述的质谱基底，其中所述井在每个井近端开口处的内部宽度为约2毫米或更小，其深度为约100μm或更小。

16.如权利要求13-15中任一项所述的质谱基底，其中每个井的壁含有基本弯曲的表面或基本平坦的表面，或含有基本弯曲的表面和基本平坦的表面。

17.如权利要求13-16中任一项所述的质谱基底，其中每个井的底含有基本弯曲的表面或基本平坦的表面，或含有基本弯曲的表面和基本平坦的表面。

18.如权利要求1-17中任一项所述的质谱基底，其中所述结构在所述基底上置于阵列中。

19.如权利要求18所述的质谱基底，其含有约24个结构。

20.如权利要求18所述的质谱基底，其含有约96个结构。

21.如权利要求18所述的质谱基底，其含有约384个结构。

22.如权利要求1-21中任一项所述的质谱基底，其中所述基底含有基本疏水的一处或多处表面。