[发明专利]有机电致发光二极管及其制备方法、显示装置有效
| 申请号: | 201810724238.7 | 申请日: | 2018-07-04 |
| 公开(公告)号: | CN108878688B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
| 发明(设计)人: | 孙阔;皇甫鲁江;张嵩;唐国强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 电致发光 二极管 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种有机电致发光二极管,包括:基底,依次位于所述基底之上的第一极、像素限定层、发光层、第二极、封装层;所述封装层包括至少一组第一薄膜组;所述第一薄膜组包括沿背离所述第二极方向依次设置的第一无机膜层、第一有机膜层;其特征在于,在所述第一薄膜组与所述像素限定层的挡墙对应的位置具有开槽;所述有机电致发光二极管还包括辅助电极;所述辅助电极通过所述开槽与所述第二极电连接;
在所述开槽对应的位置还设置有刻蚀阻挡导电层;所述第二极通过所述刻蚀阻挡导电层与所述辅助电极连接,且刻蚀阻挡导电层位于第二极之上。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光二极管,其特征在于,所述第一极为反射电极,第二极为透射电极。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光二极管,其特征在于,所述刻蚀阻挡导电层的材料包括金属或者有机材料。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光二极管,其特征在于,所述第一有机膜层的厚度大于第一无机膜层的厚度。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光二极管,其特征在于,在所述辅助电极所在层上方还设置有至少一组第二薄膜组;其中,所述第二薄膜组包括沿背离所述辅助电极方向依次设置的第二有机膜层、第二无机膜层。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光二极管,其特征在于,在所述辅助电极所在层上方还设置有第二无机膜层。
7.一种有机电致发光二极管的制备方法,包括:在基底上依次形成第一极、像素限定层、发光层、第二极、封装层;形成所述封装层包括形成至少一组第一薄膜组;形成所述第一薄膜组包括沿背离所述第二极方向依次形成第一无机膜层、第一有机膜层;其特征在于,所述有机电致发光二极管的制备方法还包括:
在所述第一薄膜组与所述像素限定层的挡墙对应的位置形成开槽;
形成辅助电极;所述辅助电极通过所述开槽与所述第二极电连接;
在形成所述第二极和所述封装层之间还包括:
在所述第二极之上形成有刻蚀阻挡导电层。
8.根据权利要求7所述有机电致发光二极管的制备方法,其特征在于,所述在所述第一薄膜组与所述像素限定层的挡墙对应的位置形成开槽的步骤,包括:
形成第一无机膜层;
通过喷墨打印的方式形成第一有机膜层,并在所述第一有机膜层中预留出所述开槽的第一部分;
去除第一无机膜层终于所述第一部分对应的无机材料,形成所述开槽。
9.根据权利要求7所述的有机电致发光二极管的制备方法,其特征在于,在所述形成辅助电极之后,还包括:
在所述辅助电极所在层上方形成至少一组第二薄膜组;其中,形成所述第二薄膜组包括沿背离所述辅助电极方向依次形成第二有机膜层、第二无机膜层。
10.根据权利要求7所述的有机电致发光二极管的制备方法,其特征在于,在所述形成辅助电极之后,还包括:
在所述辅助电极所在层上方还形成有第二无机膜层。
11.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-6中任一项所述的有机电致发光二极管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





