[发明专利]一种二硫化钛薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810698130.5 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109023484A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 张伟英;李岩;周毅平;胡晓柯;付文文;李丹阳;范一丹;李钊;杨海峰 | 申请（专利权）人： | 洛阳师范学院 |
| 主分类号： | C25D13/02 | 分类号： | C25D13/02 |
| 代理公司： | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 单燕君 |
| 地址： | 471022 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二硫化钛 制备 薄膜 薄膜制备技术 光电探测器 电化学法 反应条件 施加电压 沉积 开发 研究 | ||
1.一种二硫化钛薄膜的制备方法，其特征在于，采用电化学法在ITO基片上沉积得到二硫化钛薄膜；施加电压为65-80V。
2.根据权利要求1所述的一种二硫化钛薄膜的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
（1）将60mg的二硫化钛粉末于离心管中，加入乙醇，同时加入乙醇10-15%的聚乙烯吡咯烷酮，并且搅拌使粉末均匀分散；
（2）将分散液超声处理20min以上；
（3）将离心管置于离心机中离心处理7min以上；
（4）在离心后的上清液中加入20mg碘；
（5）然后再超声15min；
（6）然后将该超声后的上清液放入55-60℃的恒温水浴中；
（7）采用丙酮和去离子水依次清洗ITO基片至少两次，将超声后的液体作为电解液，将ITO基片连接直流稳压电源负极，金属铂片连直流稳压电源正极，在65V-80V电压下沉积镀膜；沉积时间为10-30min；
（8）镀膜完成后，去离子水清洗ITO基片，并放入干燥箱中50-80℃下进行干燥。
3.根据权利要求1所述的一种二硫化钛薄膜的制备方法，其特征在于，二硫化钛粉末粒径小于1000目。
4.根据权利要求1所述的一种二硫化钛薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）中加入5-20mm的乙醇。
5.根据权利要求1所述的一种二硫化钛薄膜的制备方法，其特征在于，调整步骤（7）中的pH为6-6.5。
6.根据权利要求1所述的一种二硫化钛薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（7）的电压为70-75V。
7.根据权利要求1所述的一种二硫化钛薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（4）中加入碘化钾10mg。
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