[发明专利]发光晶体管及其发光方法、阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201810691831.6 | 申请日: | 2018-06-28 |
公开(公告)号: | CN108628038B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 陈东川;钱学强;王丹;刘冰洋;马新利 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/13357 | 分类号: | G02F1/13357;H01L27/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 晶体管 及其 方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种发光晶体管,包括:
发光层;
栅极,设置在所述发光层的一侧;以及
源极和漏极,设置在所述发光层远离所述栅极的一侧,
其中,所述源极和所述漏极分别包括第一氧化石墨烯,所述发光层包括第二氧化石墨烯,所述第二氧化石墨烯的氧碳原子数目比大于所述第一氧化石墨烯的氧碳原子数目比,
所述源极包括多个第一条状子电极,所述漏极包括多个第二条状子电极,所述多个第一条状子电极和所述多个第二条状子电极交替间隔设置。
2.根据权利要求1所述的发光晶体管,其中,所述第一氧化石墨烯的氧碳原子数目比为0.3-0.4;所述第二氧化石墨烯的氧碳原子数目比为0.51-0.60。
3.根据权利要求1所述的发光晶体管,其中,所述栅极包括第三氧化石墨烯,所述第三氧化石墨烯的氧碳原子数目比大于所述第二氧化石墨烯的氧碳原子数目比。
4.根据权利要求3所述的发光晶体管,其中,所述第三氧化石墨烯的氧碳原子数目比为0.61-0.7。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的发光晶体管,其中,所述源极和所述漏极在所述发光层上的正投影落入所述栅极在所述发光层的正投影。
6.根据权利要求1所述的发光晶体管,其中,各所述第一条状子电极的宽度范围为5μm-10μm,各所述第二条状子电极的宽度范围为5μm-10μm。
7.根据权利要求6所述的发光晶体管,其中,相邻的所述第一条状子电极和所述第二条状子电极之间的距离范围为10μm-200μm。
8.根据权利要求1-4中任一项所述的发光晶体管,其中,所述源极包括螺旋状排列的第一线状部,所述漏极包括螺旋状排列的第二线状部,所述第一线状部与所述第二线状部同心交替间隔等距设置。
9.一种阵列基板,包括:衬底基板以及设置在所述衬底基板上的发光晶体管,所述发光晶体管为根据权利要求1-8中任一项所述的发光晶体管。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,还包括:
栅线,与所述栅极电性相连;
公共电极线,与所述漏极电性相连;以及
数据线,与所述源极电性相连。
11.根据权利要求9所述的阵列基板,其中,所述衬底基板为柔性衬底基板。
12.根据权利要求9所述的阵列基板,还包括:保护层,设置在所述发光晶体管远离所述衬底基板的一侧。
13.根据权利要求12所述的阵列基板,还包括:
反射层,设置在所述衬底基板远离所述发光晶体管的一侧或者所述保护层远离所述发光晶体管的一侧。
14.一种显示装置,包括根据权利要求9-13中任一项所述的阵列基板。
15.一种发光晶体管的发光方法,其中,所述发光晶体管包括根据权利要求1-8中任一项所述的发光晶体管,所述发光方法包括:
向所述栅极施加栅极电压;
向所述源极施加像素电压;
向所述漏极施加公共电压;
其中,通过调节所述栅极电压的大小以控制所述发光晶体管发出的光的颜色。
16.根据权利要求15所述的发光晶体管的发光方法,还包括:
控制所述像素电压的大小以控制所述发光晶体管发出的光的亮度。
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