[发明专利]字线电压的施加方法、装置、电子设备和存储介质

说明书

本发明实施例公开了一种字线电压的施加方法、装置、电子设备和存储介质。所述方法包括：当读取数据或写入数据时，从选中字线、未选中字线及漏极选通字线的栅极中选取与操作类型匹配的一个或两个栅极作为待处理栅极；据操作类型获取待处理栅极对应的第一初始电压和第一目标电压，选中字线、未选中字线和漏极选通字线的栅极中非待处理栅极分别对应的第二目标电压；对待处理栅极施加设定时间的第一初始电压后，对待处理栅极施加第一目标电压，对非待处理栅极施加第二目标电压。本发明实施例的技术方案实现了减弱存储器在写入数据和读取数据时的program disturb以及read disturb现象，降低了存储器存储数据的出错率。

技术领域

本发明实施例涉及存储器数据处理技术领域，尤其涉及一种字线电压的施加方法、装置、电子设备和存储介质。

背景技术

Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

Nand flash存储器在进行读取数据操作时，由于非选中字线的控制栅极与衬底的电压差，会产生read disturb的现象，使得非选中字线中的浮栅场效应管中的浮栅吸入一定量的电子。

Nand flash存储器在进行写入数据操作时，由于非选中字线的控制栅极与衬底的电压差，会产生program disturb的现象，使得非选中字线中的浮栅场效应管中的浮栅吸入一定量的电子。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种字线电压的施加方法、装置、电子设备和存储介质，以优化现有的对存储器中的数据进行读取和写入的方法。

在第一方面，本发明实施例提供了一种字线电压的施加方法，包括：

当数据操作指令对应的操作类型为读取数据或写入数据时，从选中字线的栅极、未选中字线的栅极以及漏极选通字线的栅极中选取与所述操作类型匹配的一个或两个栅极作为待处理栅极；

根据所述操作类型，获取所述待处理栅极对应的第一初始电压和第一目标电压，以及所述选中字线的栅极、所述未选中字线的栅极和所述漏极选通字线的栅极中的非待处理栅极对应的第二目标电压，其中，所述第一初始电压大于0V，所述第一初始电压小于所述第一目标电压；

对所述待处理栅极施加设定时间的所述第一初始电压之后，对所述待处理栅极施加所述第一目标电压，同时对所述非待处理栅极施加所述第二目标电压。

在上述方法中，优选的是，当数据操作指令对应的操作类型为读取数据或写入数据时，从选中字线的栅极、未选中字线的栅极以及漏极选通字线的栅极中选取与所述操作类型匹配的一个或两个栅极作为待处理栅极，包括：

当数据操作指令对应的操作类型为读取数据时，将未选中字线的栅极，和/或漏极选通字线作为待处理栅极。

在上述方法中，优选的是，当数据操作指令对应的操作类型为读取数据或写入数据时，从选中字线的栅极、未选中字线的栅极以及漏极选通字线的栅极中选取与所述操作类型匹配的一个或两个栅极作为待处理栅极，包括：

当数据操作指令对应的操作类型为写入数据时，将选中字线的栅极，和/或漏极选通字线作为待处理栅极。

在上述方法中，优选的是，所述设定时间与所述第一初始电压相匹配。

在上述方法中，优选的是，所述第一初始电压等于所述第一目标电压与数值0.4的乘积。

在第二方面，本发明实施例提供了一种字线电压的施加装置，包括：