[发明专利]一种宽频可调谐太赫兹偏振功能转换器有效
| 申请号： | 201810665678.X | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108983344B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 蒋立勇;张伟;梁爽;钱继松;蒋剑莉 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 张祥 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 宽频 调谐 赫兹 偏振 功能 转换器 | ||
【权利要求书】：
1.一种宽频可调谐太赫兹偏振功能转换器，所述转换器自上而下的结构包括顶层、调谐层和衬底，其特征在于：
所述的顶层为一阵列结构，所述阵列结构由多个单元结构为L形平面超材料的阵列单元组成，所述阵列单元的尺寸为a×a，a＝5～50μm，所述超材料为Au或Ag或Cu或Pt或Al或Cr，顶层厚度为50～200nm；
所述的调谐层包括三层，所述三层依次为单层石墨烯层、绝缘层以及半导体导电层，石墨烯的化学势调谐范围为0～0.9eV，绝缘层的厚度为1～4nm，所述半导体导电层的厚度为3～6nm；
所述的衬底由电介质和金属膜构成，电介质的厚度为0.4a～0.8a，金属膜的厚度为100～400nm，所述L形平面超材料的阵列单元的图案的横向和纵向的臂长l相等，l为0.45a～0.95a，臂宽w为l/15～l/5。
2.根据权利要求1所述的转换器，其特征在于，所述绝缘层为Al2O3或MgF2或SiO2或TiO2。
3.根据权利要求2所述的转换器，其特征在于，所述半导体导电层为Si或Ge或GaAs或InSb。
4.根据权利要求3所述的转换器，其特征在于，所述衬底的电介质为SiO2或TiO2或Si。
5.根据权利要求4所述的转换器，其特征在于，所述衬底的金属膜的材料为Au或Ag或Cu或Pt或Al或Cr。
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