[发明专利]一种基于硅材料测试仪的硅材料快速分拣方法在审
| 申请号： | 201810648920.2 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN108807234A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 王韶平 | 申请（专利权）人： | 安徽舟港新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人： | 傅磊 |
| 地址： | 246500 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅材料 检测区域 电阻率 分拣 预设 传送 测试 分拣效率 人为失误 出口 自动化 检测 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于硅材料测试仪的硅材料快速分拣方法，其特征在于，包括：
S1、将硅材料传送至检测区域；
S2、检测检测区域内的硅材料的类型和电阻率，所述类型包括P型、N型；
S3、将检测区域内的硅材料的电阻率与电阻率阈值进行比较，根据比较结果及检测区域内的硅材料的类型为P型或N型，将检测区域的硅材料传送至预设出口。
2.根据权利要求1所述的基于硅材料测试仪的硅材料快速分拣方法，其特征在于，步骤S3，具体包括：
在硅材料为P型且电阻率低于电阻率阈值时，将硅材料传送至第一出口；
在硅材料为P型且电阻率不低于电阻率阈值时，将硅材料传送至第二出口；
在硅材料为N型且电阻率低于电阻率阈值时，将硅材料传送至第三出口；
在硅材料为N型且电阻率不低于电阻率阈值时，将硅材料传送至第四出口。
3.根据权利要求1所述的基于硅材料测试仪的硅材料快速分拣方法，其特征在于，步骤S3中，所述电阻率阈值可由用户编辑。
4.根据权利要求1所述的基于硅材料测试仪的硅材料快速分拣方法，其特征在于，步骤S2中，在检测检测区域内的硅材料的类型和电阻率过程中，还包括：将检测区域内相对湿度保持在预设范围内。
5.根据权利要求1所述的基于硅材料测试仪的硅材料快速分拣方法，其特征在于，步骤S2中，在检测检测区域内的硅材料的类型和电阻率过程中，还包括：对检测区域进行电磁屏蔽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
