[发明专利]一种减小存储节点漏光的全局像元结构及制作方法

权利要求书

1.一种减小存储节点漏光的全局像元结构，其特征在于，包括设于衬底上的光电二极管、传输管和复位管，以及形成于传输管和复位管之间的所述衬底上的存储节点；其中，所述传输管上、复位管上和存储节点上覆盖有金属掩蔽层，所述存储节点上连接有接触孔，所述接触孔穿过金属掩蔽层设置，并与所述金属掩蔽层之间形成间隙，所述间隙中充满绝缘反射层。

2.根据权利要求1所述的减小存储节点漏光的全局像元结构，其特征在于，所述绝缘反射层为由多层绝缘介质互相堆叠形成的复合绝缘反射层结构。

3.根据权利要求2所述的减小存储节点漏光的全局像元结构，其特征在于，所述复合绝缘反射层中任意相邻两层绝缘介质之间的折射率不同。

4.根据权利要求2所述的减小存储节点漏光的全局像元结构，其特征在于，所述复合绝缘反射层中任意相邻两层绝缘介质之间的材质不同。

5.根据权利要求1所述的减小存储节点漏光的全局像元结构，其特征在于，所述金属掩蔽层为单层结构或多层复合结构。

6.一种减小存储节点漏光的全局像元结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底，在所述衬底上形成光电二极管、传输管和复位管，以及在传输管和复位管之间的所述衬底上形成存储节点；

在所述衬底表面全片淀积金属掩蔽层材料，并将光电二极管上方的金属掩蔽层材料移除，同时在存储节点的上方形成金属掩蔽层开口，形成金属掩蔽层；

在所述衬底表面全片淀积绝缘反射层材料，将金属掩蔽层开口充满，并在存储节点上方形成绝缘反射层图形，使绝缘反射层图形尺寸大于金属掩蔽层开口尺寸；

在所述衬底表面全片淀积层间介质，形成穿过绝缘反射层图形中并连接存储节点的接触孔图形；

进行接触孔的填充，形成接触孔，以及形成连接接触孔的后道金属互连层。

7.根据权利要求6所述的减小存储节点漏光的全局像元结构的制作方法，其特征在于，所述衬底为在N型或P型硅衬底。

8.根据权利要求6所述的减小存储节点漏光的全局像元结构的制作方法，其特征在于，所述金属掩蔽层为由钛、氮化钛、钨、铝、铜、钴和镍中的一种或多种形成的单层结构或多层复合结构。

9.根据权利要求6所述的减小存储节点漏光的全局像元结构的制作方法，其特征在于，所述绝缘反射层为由氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅、含氮碳化硅中的至少两种堆叠形成的复合绝缘反射层结构。

10.根据权利要求9所述的减小存储节点漏光的全局像元结构的制作方法，其特征在于，所述复合绝缘反射层中任意相邻两层之间的材质或折射率不同。