[发明专利]量子点及其制备方法有效
申请号: | 201810614207.6 | 申请日: | 2018-06-14 |
公开(公告)号: | CN108997999B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 王允军;李鑫 | 申请(专利权)人: | 苏州星烁纳米科技有限公司 |
主分类号: | C09K11/02 | 分类号: | C09K11/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种量子点及其制备方法。量子点表面结合有刚性配体,刚性配体与量子点表面的金属原子配位结合。所述刚性配体的结构式为R1─CONH─R2,其中,R1为C6~C18的烃基,R2为H原子,或R2为C6~C18的烃基。本发明中,由于刚性链的运动活性较低,即使在较高温度环境下,刚性配体也不会剧烈运动从量子点表面脱落,从而显著地提高了量子点的热稳定性。
技术领域
本申请属于量子点技术领域,具体涉及一种量子点及其制备方法。
背景技术
基于量子效应和发光特质,量子点在照明、显示、生命科学、荧光标记、太阳能电池和光催化等领域具有广泛的应用前景。随着量子点合成技术的发展,应用领域对量子点的要求越来越高。
现有技术合成的量子点,在高温环境下工作时,荧光量子产率等性能会下降,量子点的热稳定性低,限制了量子点的使用。
发明内容
鉴于上述现有量子点存在的问题,本发明提供一种热稳定性高的量子点及其制备方法。
本发明首先提供一种量子点,所述量子点表面结合有刚性配体,所述刚性配体与量子点表面的金属原子配位结合,金属原子优选S、N、O或P中的一种或多种。
本发明中,刚性配体的结构式为R1─CONH─R2,其中,R1为C6~C8的烃基,R2为H原子,或R2为C6~C8的烃基。
在本发明较优选实施例中,所述刚性配体为C6~C36的饱和脂肪酰胺,包括但不限于硬脂酰胺、月桂酰胺、亚乙基双硬脂酸酰胺、亚乙基双棕榈酸酰胺、亚乙基双肉豆蔻酸酰胺、亚乙基双月桂酸酰胺、亚丙基双硬脂酸酰胺、亚丙基双棕榈酸酰胺、亚丙基双肉豆蔻酸酰胺、亚丙基双月桂酰胺、十二酰胺、十四酰胺。
在本发明较优选实施例中,所述刚性配体为C6~C36的不饱和脂肪酰胺,包括但不限于油酸酰胺、乙二胺单油酸酰胺、亚乙基双油酸酰胺。
在本申请中,发明人发现,当量子点表面结合有长链刚性配体时,由于刚性链的运动活性较低,因此,即使在较高温度环境下,刚性配体也不会剧烈运动从量子点表面脱落,配体与量子点结合更牢固,显著提高了量子点的热稳定性。
本发明中,所述量子点为核、或核壳、或合金结构,核或壳为IV族、II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、IV-VI族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族二元或多元半导体化合物,或是所述量子点为钙钛矿纳米粒子、金属纳米粒子或金属氧化物纳米粒子或其混合物。
在本发明一些较为优选实施例中,所述半导体化合物包括但不限制于下述IV族半导体化合物、II-VI族半导体化合物、II-V族半导体化合物、III-V族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物之间的任意一种或其组合的合金及混合物:
IV族半导体化合物,包括但不限于单质Si、Ge和二元化合物SiC、SiGe;
II-VI族半导体化合物,其二元化合物包括但不限于CdSe、CdTe、CdO、CdSe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgO、HgS、HgTe,其三元化合物包括但不限于CdSeS、CdSeTe、CdSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、HgZnS、HgSeSe,其四元化合物包括但不限于CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、HgZnSeTe、HgZnSTe、CdZnSTe、HgZnSeS;
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