[发明专利]一种陶瓷和白银镶嵌结合的工艺在审
申请号: | 201810588442.0 | 申请日: | 2018-06-08 |
公开(公告)号: | CN108727067A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 李智辉;夏添;吴书;刘永承;兰朝辉 | 申请(专利权)人: | 湖南东谷云商集团有限公司 |
主分类号: | C04B41/90 | 分类号: | C04B41/90;B28B11/00;B28B11/08;B24B19/00 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 赵娟 |
地址: | 423000 湖南省郴州市苏仙*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 烧结 镶嵌 膏体 陶瓷制品表面 二氧化硅 精细加工 喷涂纳米 陶瓷制品 涂覆 陶瓷表面金属化 熔化 陶瓷加工技术 红外烘干 结合力 熔炼 暗化 变黑 打磨 浸泡 配制 | ||
本发明涉及一种陶瓷和白银镶嵌结合的工艺,属于陶瓷加工技术领域。该工艺包括以下步骤:(1)选择陶瓷制品,在其外表面画好图形,精细加工成凹槽;(2)配制膏体;(3)向上述凹槽中涂覆所述膏体,烧结;(4)熔炼白银;(5)将熔化后的白银倒入步骤(3)烧结后的陶瓷凹槽中,压制成型;(6)将陶瓷制品浸泡,打磨和精细加工;(7)步骤(6)完成后,向陶瓷制品表面喷涂纳米二氧化硅,红外烘干即可。通过向凹槽中涂覆膏体、烧结,使凹槽内的陶瓷表面金属化,进而提升了白银与陶瓷凹槽的结合强度。镶嵌完成后,向陶瓷制品表面喷涂纳米二氧化硅,一方面可以防止镶嵌的白银暗化变黑,另一方面也加强了白银与陶瓷凹槽的结合力。
技术领域
本发明涉及一种陶瓷和白银镶嵌结合的工艺,属于陶瓷加工技术领域。
背景技术
陶瓷是我国的传统文化元素,它在四大发明出现以前就已经传遍全世界,对世界文明的发展做出了重要贡献;随着时代的发展,陶瓷因其极高的力学性质,抗高温特性、耐化学腐蚀性,已经成为人类生活中不可或缺之物,被广泛的应用于日常生活器皿中;随着生活水平的提高,人们对陶瓷制品提出了更高的要求,在满足基本的使用功能之外,还要求陶瓷制品富有观赏价值和收藏价值,因此,需要采用陶瓷镶嵌金属工艺来美化陶瓷制品;传统的陶瓷镶嵌工艺一般采用胶粘剂将金属饰品粘接或镶贴在陶瓷制品上,形成金属装饰陶瓷制品,但是经粘接或镶贴的金属饰品,在使用中或在温度和湿度变化的环境中,容易从陶瓷制品上脱落,影响金属装饰陶瓷制品的整体装饰效果,降低了金属装饰陶瓷制品的观赏价值和收藏价值。
发明内容
为解决上述问题,本发明提出了一种陶瓷和白银镶嵌结合的工艺,不破坏陶瓷本身、无胶无毒,环保健康,且永不脱落,能够使用长久。
所述陶瓷和白银镶嵌结合的工艺,包括以下步骤:
(1)选择陶瓷制品,在其外表面画好图形,精细加工成凹槽;
(2)配制膏体:所述膏体由低温玻璃粉、硅胶和水组成;
(3)向上述凹槽中涂覆所述膏体,烧结;
(4)熔炼白银,加温至其呈可流动液体或丝状;
(5)将熔化后的白银倒入步骤(3)烧结后的陶瓷凹槽中,压制成型;
(6)步骤(5)完成后将陶瓷制品放入水中浸泡,对凹槽周围及镶嵌的白银进行打磨和精细加工;
(7)步骤(6)完成后,向陶瓷制品表面喷涂纳米二氧化硅,红外烘干即可。
其中,上述陶瓷和白银镶嵌结合的工艺,步骤(2)中所述低温玻璃粉、硅胶和水的质量比为2~4∶1~2∶1。
其中,上述陶瓷和白银镶嵌结合的工艺,步骤(2)中所述低温玻璃粉的组分与陶瓷制品成分大体保持一致;例如低温玻璃粉包括高岭土、石灰石、硅灰石、硅石,以及银粉、金粉、铌粉、钯粉等。
其中,上述陶瓷和白银镶嵌结合的工艺,步骤(3)中所述烧结的条件为:烧结温度320~400℃,烧结时间1.4~2h。
其中,上述陶瓷和白银镶嵌结合的工艺,步骤(4)中所述白银选用高纯度国标999国标银料。
其中,上述陶瓷和白银镶嵌结合的工艺,步骤(4)中所述温度为1000~1200℃。
其中,上述陶瓷和白银镶嵌结合的工艺,步骤(6)中所述浸泡的时间为30~40min。
其中,上述陶瓷和白银镶嵌结合的工艺,步骤(7)中所述纳米二氧化硅烘干后的厚度为2~5um。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南东谷云商集团有限公司,未经湖南东谷云商集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810588442.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:分段环境阻隔涂层系统及其形成方法
- 下一篇:一种薄片NTC热敏电阻的制备方法