[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，能够可靠地将支承基板从晶片的正面剥离。晶片的加工方法包含如下的工序：支承基板准备工序，准备能够透过波长为300nm以下的紫外线且能够对晶片(2)进行支承的支承基板(8)；一体化工序，夹着通过紫外线的照射而降低粘接力的紫外线硬化型树脂将晶片的正面与支承基板粘贴从而进行一体化；加工工序，对晶片的背面实施规定的加工；紫外线硬化型树脂破坏工序，从支承基板侧会聚波长为300nm以下的紫外线区域的激光光线而进行照射，从而将紫外线硬化型树脂破坏；以及剥离工序，将支承基板从晶片的正面剥离。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，该晶片由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件。

背景技术

由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI、功率器件、LED等多个器件的晶片通过切割装置、激光加工装置分割成各个器件芯片。分割得到的器件芯片被用于移动电话、个人计算机、通信设备等电气设备。

另外，为了能够实现器件的良好的散热性及轻量小型化，通过磨削装置对晶片的背面进行磨削而加工成期望的厚度。并且，当将晶片的厚度加工成薄至50μm、30μm时，晶片会像纸那样弯曲而难以进行向下一工序的搬送，因此本申请人提出了下述技术：将晶片的正面侧夹着UV硬化型树脂而粘贴在玻璃那样的支承基板上，从而即使将晶片加工得较薄，也能够进行向等离子蚀刻工序、溅射工序等下一工序的搬送(例如参照专利文献1)。

专利文献1：国际公开第03/049164号

但是，在上述专利文献1所公开的技术中，存在下述问题：有时即使从支承基板侧照射紫外线而使UV硬化型树脂硬化从而使粘接力降低，也无法使粘接力充分降低，无法将支承基板从晶片的正面剥离。

发明内容

由此，本发明的目的在于提供晶片的加工方法，能够可靠地将支承基板从晶片的正面剥离。

根据本发明，提供晶片的加工方法，该晶片由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：支承基板准备工序，准备能够透过波长为300nm以下的紫外线且能够对晶片进行支承的支承基板；一体化工序，夹着通过紫外线的照射而降低粘接力的紫外线硬化型树脂将晶片的正面与该支承基板粘贴从而进行一体化；加工工序，在实施了该一体化工序之后，对晶片的背面实施规定的加工；紫外线硬化型树脂破坏工序，在实施了该加工工序之后，从该支承基板侧会聚波长为300nm以下的紫外区域的激光光线而进行照射，从而将紫外线硬化型树脂破坏；以及剥离工序，在实施了该紫外线硬化型树脂破坏工序之后，将该支承基板从晶片的正面剥离。

优选晶片的加工方法还包含如下的框架支承工序：在该加工工序之后且在该紫外线硬化型树脂破坏工序之前，将晶片的背面粘贴在划片带上，并且将该划片带的外周粘贴在具有能够收纳晶片的开口的环状框架上，从而利用该环状框架对已与该支承基板成为一体的晶片进行支承。优选在该紫外线硬化型树脂破坏工序中，所使用的激光光线的峰值功率密度为5GW/cm²～50GW/cm²。优选该支承基板为玻璃基板，晶片包含在正面上具有薄膜构造的器件的Si晶片、SiC晶片或GaN晶片，其中，所述薄膜构造的器件包含功率器件、TFT(薄膜晶体管)或薄膜电感器。

根据本发明的晶片的加工方法，具有紫外线硬化型树脂破坏工序，从该支承基板侧会聚由波长为300nm以下的紫外线构成的激光光线而进行照射，从而将紫外线硬化型树脂破坏，因此，能够将紫外线硬化型树脂破坏而可靠地将支承基板从晶片的正面剥离。

附图说明

图1是晶片和支承基板的立体图。

图2的(a)是实施了一体化工序的晶片和支承基板的立体图，图2的(b)是实施了一体化工序的晶片和支承基板的剖视图。

图3是示出将一体化的晶片和支承基板载置于磨削装置的卡盘工作台上的状态的立体图。