[发明专利]一种石墨烯改性的PTFE基PCB覆铜板及制备方法

说明书

本发明公开了石墨烯改性的PTFE基PCB覆铜板，包括PTFE基半固化片、铜箔；PTFE基半固化片、铜箔之间设有一层化学气相沉积石墨烯；其中石墨烯改性的PTFE基半固化片是通过化学气相沉积的方法将石墨烯生长到PTFE基半固化片的表面。然后通过热压方法将铜箔附于半固化片两侧。由于半固化片与铜箔之间存在石墨烯，因此使覆铜板的热学、电学和机械性能大大提高。

技术领域

本发明涉及一种新型PTFE基PCB覆铜板及制备方法，属于PCB覆铜板的制备领域。

背景技术

印制电路板(Printed Circuit Board，PCB)是重要的电子部件，是电子元器件的支撑体，是电子元器件电气连接的载体。随着电子信息技术发展的不断进步，电子设备高频化是发展趋势，尤其随着无线网络、卫星通讯的日益发展，信息产品在不断走向高速与高频化。发展新一代产品都需要高频PCB板，尤其卫星系统、移动电话接收基站等通信产品必须应用高频电路板，随着这些应用在未来几年内迅速发展，会对高频PCB板有大量需求。

聚四氟乙烯(Poly tetra fluoroethylene，PTFE)具有优异的介电性能，它是目前为止发现的介电性能最好的有机材料，优异的介电性能有利于信号完整快速地传输。PTFE还有高耐热性和耐气候性能，这些性能保证电子设备可以在较恶劣的环境下长期正常工作，如暴露在户外、温差转换大的地方。所以，PTFE基覆铜板是军事、航天航空等领域不可缺少的材料之一。

石墨烯是一种由碳原子六角堆积组面的二维平面结构。由于其具有优异的热学、电学、机械等性能，最近几年热受关注。PCB覆铜板的半固化片需要优异的热性能和机械性能，铜箔又需要优异的电学性能。因此，我们致力于通过引入石墨烯来提高PCB覆铜板的热学、电学和机械性能。从而大大提高现在普通PCB覆铜板的性能，为5G通讯时代高频覆铜板的技术进步贡献力量。

发明内容

发明目的：为了克服现有技术中存在的不足，本发明提供一种新型石墨烯改性的PTFE基PCB覆铜板及制备方法，主要包括石墨烯改性的PTFE基半固化片和铜箔，具体结构如图1所示。其中石墨烯改性的PTFE基半固化片是通过化学气相沉积的方法将石墨烯生长到PTFE基半固化片的表面。然后通过热压方法将铜箔附于半固化片两侧。通过此方法制备的PCB覆铜板，由于半固化片与铜箔之间存在石墨烯，因此使覆铜板的热学、电学和机械性能大大提高。

技术方案：为实现上述目的，本发明采用的技术方案为：

一种石墨烯改性的PTFE基PCB覆铜板，包括PTFE基半固化片、铜箔；PTFE基半固化片、铜箔之间设有一层化学气相沉积石墨烯；

一种石墨烯改性的PTFE基PCB覆铜板，包括PTFE基半固化片、铜箔；PTFE基半固化片的两面皆为一层化学气相沉积石墨烯，石墨烯的外面为铜箔；

石墨烯改性的PTFE基PCB覆铜板制备方法包括以下步骤：

S1：将裁剪好的玻璃纤维布浸渍到PTFE乳液中，其中PTFE乳液的固含量要大于50％，PH值为9-10，浸渍时间为5-10分钟，然后进行烘干，烘干温度为250℃，烘干时间为15-20分钟。

S2：将通过步骤S1方法得到的(两片)半固化片放置于于化学气相沉积设备腔体中，进行石墨烯生长。利用CH4为碳源、H2为载气的CVD法生长石墨烯,氢气和甲烷气体的流量比为1∶1～1∶10，持续通气50～70min；得到石墨烯产品；

S3：将生长完石墨烯的两片半固化片的面朝外，没有长生石墨烯的面相对，然后根据所需要覆铜板厚度，中间再加入1-5片步骤S1中得到的半固化片。