[发明专利]一种具有共用冗余子像素点的LED阵列显示器件在审
申请号: | 201810562983.6 | 申请日: | 2018-06-04 |
公开(公告)号: | CN109037274A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 杨刚;孙智江;梁宗文 | 申请(专利权)人: | 海迪科(南通)光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
地址: | 226500 江苏省南通市如*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素点 冗余 发光像素单元 像素阵列单元 显示阵列 红色子像素 蓝色子像素 绿色子像素 蓝子像素 密集排布 密集排列 分辨率 包围 | ||
本发明涉及一种具有共用冗余子像素点的LED阵列显示器件,所述LED阵列显示器件包括密集排列的红、绿、蓝子像素点,其中,一个红色子像素点、一个绿色子像素点和一个蓝色子像素点构成一个发光像素单元;一个或发光像素单元包围着一个冗余子像素点,构成一个像素阵列单元;进而若干个像素阵列单元密集排布构成LED阵列显示器件。本发明的优点在于:本发明既可以通过冗余子像素点对周围的异常子像素点的补偿来延长显示阵列的寿命,又可以将冗余子像素点对显示阵列分辨率的影响降到最低。
技术领域
本发明属于显示技术领域,涉及一种LED显示阵列冗余子像素点排布技术,特别涉及一种具有共用冗余子像素点的LED阵列显示器件。
背景技术
LED因具有高效,节能,尺寸小,寿命长等优点而备受瞩目,目前已在显示领域广泛应用,如室外大面积LED阵列显示屏、小面积OLED超薄柔性显示屏,micro-LED阵列显示器件也被视为OLED显示屏之后又一具轻薄及省电优势的显示技术。然而不管何种显示技术,都存在各色子像素寿命不一造成的长期使用后显色不准甚至影响使用寿命的问题。
如OLED,其发光层主要由红色萤光材料、绿光材料以及蓝光磷材料三者发光混合,其中一种材料的寿命衰减,就会让整颗OLED像素点失效,但是目前有机发光蓝光磷材料的寿命太短,如何克服此问题,成为从业者必须面对的挑战。
一种解决方案是利用白光OLED结合彩色滤光膜进行显示:首先制备发白光的OLED器件,然后通过彩色滤光膜得到三基色,再组合三基色实现彩色显示。但采用此技术使透过彩色滤光膜所造成光损失高达三分之二,使得显示效率大大降低。另一种解决方案是采用特殊布局,在红色与绿色子像素点面积不变的情况下,增大蓝色子像素点的面积,从而使得单位面积的蓝色像素发光功率降低,延缓老化速率。但是此方案由于蓝色子像素点面积过大使得使用一段时间后屏幕偏色严重,另外,由于单个像素点面积过大,显示分辨率明显下降。
与此同时,显示器件中LED发光芯片的良品率也制约着器件性能的提升。在LED阵列显示器件中,当某种颜色的LED芯片由于封装、焊接或者切割问题时,导致的芯片良品率降低,会极大地降低显示器件的显示效果,用户体验会大打折扣。
在彻底解决各色子像素点寿命不一、芯片良品率降低导致的偏色严重的问题之前,显示阵列的高效布局仍是从业者关注的重点。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种具有共用冗余子像素点的LED阵列显示器件,可使LED阵列显示器件能够高效布局。
为解决上述技术问题,本发明的技术方案为:一种具有共用冗余子像素点的LED阵列显示器件,其创新点在于:所述LED阵列显示器件包括密集排列的红、绿、蓝子像素点,其中,一个红色子像素点、一个绿色子像素点和一个蓝色子像素点构成一个发光像素单元;一个或一个以上发光像素单元包围着一个冗余子像素点,构成一个像素阵列单元,进而若干个像素阵列单元密集排布构成LED阵列显示器件。
进一步地,所述冗余子像素点,包含红色子像素点、绿色子像素点和蓝色子像素点,可发出红色、绿色、蓝色光。
其中,冗余子像素点对寿命最短失效的子像素点进行补偿,进一步均一化各子像素的使用寿命。
进一步地,所述红色子像素点、绿色子像素点和蓝色子像素点之间具有≥0.1µm的间距。
其中,当检测到某一像素阵列单元中的某个子像素点失效或者亮度大幅降低时,将该像素阵列单元中的冗余子像素点接入显示驱动电路,对原来的子像素点进行替换或者补偿发光。
本发明技术中,判断该显示阵列的异常子像素点位置时,可利用该器件显示一个标准图像,将其与无故障显示阵列的显示图像进行对比,确定故障子像素点位置,从而断开对应子像素点的驱动转而驱动相邻的冗余子像素点;这一过程既可以是驱动电路自行采样对比熔断接通,又可以操作者手动检修操作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的