[发明专利]一种非等离子干法刻蚀方法有效
| 申请号： | 201810560809.8 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108847391B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王春;郑波;马振国;吴鑫;王晓娟 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 刻蚀 方法 | ||
1.一种非等离子干法刻蚀方法，包括以下步骤：
向同一反应腔室内通入包含HF的气体混合物对二氧化硅和氮化硅同时进行刻蚀，所述气体混合物还包括含氟气体和羟基化合物，其中，各气体成分的流量比例根据所需的二氧化硅/氮化硅刻蚀选择比来确定；
判断所述二氧化硅和氮化硅的刻蚀厚度是否达到预定范围，如果未达到，继续进行所述刻蚀；
所述含氟气体选自F2、XeF2、ClF3中的一种或多种，所述羟基化合物选自醇类化合物或酚类化合物，所述醇类化合物选自甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、异丁醇中的一种或多种，所述酚类化合物选自苯酚、苯二酚、甲基苯酚中的一种或多种。
2.如权利要求1所述的非等离子干法刻蚀方法，所述反应腔室的压力为0-300Torr；所述反应腔室的温度为15～105℃。
3.如权利要求1所述的非等离子干法刻蚀方法，所述含氟气体的流量为0～400sccm。
4.如权利要求1所述的非等离子干法刻蚀方法，所述羟基化合物的流量为0～1000sccm。
5.如权利要求1所述的非等离子干法刻蚀方法，所述HF的流量为50～1000sccm。
6.如权利要求1所述的非等离子干法刻蚀方法，所述含氟气体与所述羟基化合物的流量比例为10：1～1：10。
7.如权利要求1所述的非等离子干法刻蚀方法，通过一次或多次所述刻蚀使所述二氧化硅和/或所述氮化硅的刻蚀厚度达到最终要求。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
