[发明专利]超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统及方法

权利要求书

1.一种超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统，其特征在于，包括：

上位机，其内置有控制软件；

读写器，其一端与所述上位机通信连接；

金属背板；

温箱，其内部具有温度，且所述温箱的一侧具有玻璃窗口；以及

远场天线，其与所述读写器的另一端通信连接，且所述远场天线朝向所述温箱的所述玻璃窗口；

其中，多颗RFID标签芯片放置于所述温箱内，且所述上位机的所述控制软件能够控制所述读写器通过所述远场天线透过所述玻璃窗口对所述温箱内的所述多颗RFID标签芯片进行可靠性测试；

其中，所述多颗RFID标签芯片均匀分布固定在所述金属背板上，所述金属背板放置于所述温箱内靠近所述玻璃窗口的位置。

2.根据权利要求1所述的超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统，其特征在于，所述金属背板与所述玻璃窗口的平面平行，并与所述玻璃窗口的平面垂直相距5厘米至10厘米。

3.根据权利要求2所述的超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统，其特征在于，所述玻璃窗口的尺寸大于所述金属背板的尺寸，且所述远场天线的有效辐射信号区能够透过所述玻璃窗口覆盖所述金属背板上的所述多颗RFID标签芯片。

4.根据权利要求1所述的超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统，其特征在于，所述温箱的所述温度的范围为-40℃至150℃，且所述金属背板的材质为铝或钢。

5.根据权利要求1所述的超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统，其特征在于，所述远场天线呈板状，且所述远场天线的尺寸为450毫米×450毫米，信号增益值为12dBi。

6.一种超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：将多颗RFID标签芯片均匀分布固定于金属背板上；

步骤二：将所述金属背板放置于一侧具有玻璃窗口的温箱内，所述金属背板靠近所述玻璃窗口，且所述金属背板与所述玻璃窗口的平面平行，并与所述玻璃窗口的平面垂直相距5厘米至10厘米；

步骤三：上位机的控制软件控制读写器通过远场天线透过所述玻璃窗口对所述温箱内的所述多颗RFID标签芯片进行可靠性测试；

其中，所述温箱内部具有温度。

7.根据权利要求6所述的超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试方法，其特征在于，所述玻璃窗口的尺寸大于所述金属背板的尺寸，且所述远场天线的有效辐射信号区能够透过所述玻璃窗口覆盖所述金属背板上的所述多颗RFID标签芯片。

8.根据权利要求6所述的超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试方法，其特征在于，所述温箱的所述温度范围为-40℃至150℃，且所述金属背板的材质为铝或钢。

9.根据权利要求6所述的超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试方法，其特征在于，所述远场天线呈板状，且所述远场天线的尺寸为450毫米×450毫米，信号增益值为12dBi。