[发明专利]一种抗干扰的编程方法、装置、设备及存储介质

说明书

本发明实施例公开了一种抗干扰的编程方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：当检测到目标字线上当前脉冲个数达到预设脉冲个数时，获取待编程的比特数；若所述待编程的比特数小于等于预设比特数，则将所述目标字线相邻字线上的电压增加至预设电压。本发明实施例的技术方案通过动态调整目标字线相邻字线的电压，不仅降低了目标字线以及相邻的字线晶体管的误编率、相邻字线的电压对阵列的干扰和器件的损伤，还提高器件使用寿命的技术效果。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种抗干扰的编程方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

闪存的存储单元是三端器件，并与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。闪存与场效应管不同的是闪存中还有一个浮置栅极，设置在控制栅极和衬底之间；控制栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。因闪存的结构特性，使得闪存的存储单元具备了一定的电荷保持能力。闪存也是一种电压控制型器件，现阶段经常使用的闪存是NAND型闪存；其中，NAND型闪存的擦除和写入均是基于隧穿效应，电流穿过浮置栅极与硅衬底之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电(编程写入数据)或放电(擦除数据)。

当NAND闪存编程时，需要在编程的字线上施加高电压，为了区分每一条字线，将需要编程的字线记为WLn，也就是在WLn的控制栅极施加高电压Vpgm，想要被编程的晶体管衬底电位会被拉到0V，由于控制栅极与衬底之间存在较大的电压差，而此电压差可以使电子穿过绝缘层，对浮置栅极进行充电(编程写入数据)；不想被编程的晶体管需要确保控制栅极与衬底之间的电压较少，由于WLn上的控制栅极电压是一定的，因此需要将衬底电压抬高至一定的电位，从而使控制栅极与衬底之间的压差较小，电子无法穿过绝缘层对浮置栅极进行充电。此时衬底的电压可以通过该字线相邻字线上控制栅极的电压来决定。

其中，编程字线WLn上衬底电压高低可以通过向该字线相邻字线上的控制栅极施加不同的电压来调节，需要说明的是，在对WLn字线上的晶体管编程的过程中，其余字线也会施加一定的电压，向WLn+1或WLn-1控制栅极施加的电压记为Vpass1或Vpass2，VpassVpgm，可参见图1。相邻子线Vpass电压越高，WLn字线上不想被编程的晶体管衬底电位抬起的就越高，进而避免了不想被编程的单元被编程。但是，在实际应用的过程中WLn+1或WLn-1控制栅极电压Vpass的高低也会造成该字线(WLn+1或WLn-1)上不想被编程的晶体管由于压差较大而被编程，而且在相邻字线上持续施加较高的电压会加重器件的损伤，减小器件的寿命。

发明内容

本发明提供一种抗干扰的编程方法、装置、设备及存储介质，实现了降低目标字线以及相邻的字线晶体管的误编率、相邻字线的电压对阵列的干扰和器件的损伤，还提高器件使用寿命的技术效果。

第一方面，本发明实施例提供了一种抗干扰的编程方法，该方法包括：

当检测到目标字线上当前脉冲个数达到预设脉冲个数时，获取待编程的比特数；

若所述待编程的比特数小于等于预设比特数，则将所述目标字线相邻字线上的电压增加至预设电压。

进一步的，所述方法还包括：若所述待编程的比特数大于预设比特数，在当前脉冲的下一个脉冲编程结束时，将所述下一个脉冲作为当前脉冲，重复执行获取待编程的比特数；直至所述当前待编程的比特数小于等于预设的比特数。

进一步的，所述目标字线的当前编程的脉冲电压比所述目标字线的相邻字线电压高至少5v。

进一步的，将字线上编程的比特数达到编程的目标比特数作为一次编程，所述目标字线上所述当前编程的脉冲电压小于前一次编程的脉冲电压。

第二方面，本发明实施例提供了一种抗干扰的编程装置，该装置包括：

检测模块，用于当检测到目标字线上当前脉冲个数达到预设脉冲个数时，获取待编程的比特数；