[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201810546928.8 | 申请日: | 2018-05-31 |
公开(公告)号: | CN108493229A | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 王庆贺;闫梁臣;王东方;苏同上;汪军;李广耀;张扬;孙学超 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底基板 显示基板 功能层 正投影区域 显示装置 像素单元 制备 垂直薄膜晶体管 有机发光晶体管 显示效果 依次设置 交叠 制造 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多个像素单元;
每个所述像素单元包括沿远离所述衬底基板的方向依次设置的多个功能层,所述多个功能层中靠近所述衬底基板的至少一个功能层用于组成垂直薄膜晶体管VTFT,所述多个功能层中远离所述衬底基板的至少一个功能层用于组成有机发光晶体管OLET,所述OLET在所述衬底基板上的正投影区域与所述VTFT在所述衬底基板上的正投影区域存在交叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述多个功能层包括沿远离所述衬底基板的方向依次设置的栅极层、第一绝缘层、第一电极层、半导体材质层、第二电极层、第二绝缘层、第一半导体材质层、电致发光层、第二半导体材质层以及源漏极图案,且所述源漏极图案中的源极和漏极中存在至少一个电极覆盖所述电致发光层和所述第一半导体材质层的侧面;
所述栅极层、所述第一绝缘层、所述第一电极层、所述半导体材质层以及所述第二电极层用于组成所述VTFT,所述第二电极层、所述第二绝缘层、所述第一半导体材质层、所述电致发光层、所述第二半导体材质层以及所述源漏极图案用于组成所述OLET。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述多个功能层包括沿远离所述衬底基板的方向依次设置的栅极层、第一绝缘层、第一电极层、半导体材质层、第二电极层、第三电极层、第二绝缘层、第一半导体材质层、电致发光层、第二半导体材质层以及源漏极图案,且所述源漏极图案中的源极和漏极中存在至少一个电极覆盖所述电致发光层和所述第一半导体材质层的侧面;
所述栅极层、所述第一绝缘层、所述第一电极层、所述半导体材质层以及所述第二电极层用于组成所述VTFT,所述第三电极层、所述第二绝缘层、所述第一半导体材质层、所述电致发光层、所述第二半导体材质层以及所述源漏极图案用于组成所述OLET。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,
所述第二电极层和所述第三电极层之间还可以设置有第三绝缘层,且所述第三绝缘层上设置有过孔,所述第三电极层通过所述过孔与所述第二电极层电连接。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述多个功能层包括沿远离所述衬底基板的方向依次设置的栅极层、第一绝缘层、第一电极层、半导体材质层、第二电极层、第二绝缘层、第四电极层、第一半导体材质层、电致发光层、第二半导体材质层以及第五电极层;
所述栅极层、所述第一绝缘层、所述第一电极层、所述半导体材质层以及所述第二电极层用于组成所述VTFT,所述第二电极层、所述第二绝缘层、所述第四电极层、所述第一半导体材质层、所述电致发光层、所述第二半导体材质层以及所述第五电极层用于组成所述OLET。
6.根据权利要求2至5任一所述的显示基板,其特征在于,
所述第二绝缘层的材质包括三氧化二铝。
7.根据权利要求2至4任一所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:栅线、第一扫描线、第二扫描线、第一数据线以及第二数据线;
所述栅线与所述栅极层电连接,所述第一扫描线与所述第一电极层电连接,所述第一数据线与所述第二电极层电连接,所述第二扫描线与所述源漏极图案中的源极电连接,所述第二数据线与所述源漏极图案中的漏极电连接。
8.根据权利要求2至4任一所述的显示基板,其特征在于,
所述栅极层、所述第一电极层、所述第二电极层以及所述源漏极图案均由柔性材料制成。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,
所述栅极层、所述第一电极层、所述第二电极层以及所述源漏极图案的材质包括石墨烯。
10.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,
所述第一绝缘层、所述半导体材质层、所述第二绝缘层、所述第一半导体材质层、所述电致发光层以及所述第二半导体材质层均由柔性材料制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的