[发明专利]一种低压基准电路

说明书

本发明公开了一种低压基准电路，包括：一启动电路，用于完成所述基准电路的启动；一正温度系数电路，与所述启动电路相连接，用于产生偏置电流；一基准产生电路，选择了一种动态阈值MOS晶体管，进一步降低晶体管的阈值电压，获得更小的硅面积和更低的基准电压。本发明一种低压基准电路，使用电流差动放大器代替电压差动放大器，不使用电阻器，功耗低，产生的基准电压小。

技术领域

本发明涉及基准电路，尤其涉及一种低压基准电路。

背景技术

在物联网和大多数无线通讯的应用中，相关接收电路或者发射电路等都是需要低功耗的，因此能产生低功耗的基准电路对整个应用来讲是非常关键和非常必要的。基准电路作为模拟电路的重要部分，一般需要在一个较宽的温度范围内正常工作，因此不仅要求功耗低，还需要性能稳定，有较好的温度特性。传统的方式可以采用带隙基准电路进行设计，但是其功耗相对较大，而且需要用到电阻和三极管，导致芯片面积较大。

发明内容

为克服上述现有技术存在的问题，本发明的主要目的在于提供一种低压基准电路，使用电流差动放大器代替电压差动放大器，不使用电阻，功耗低，产生的基准电压小。

为达上述及其它目的，本发明提供一种低压基准电路，其至少包括：

一启动电路，用于完成所述基准电路的启动；一正温度系数电路，与所述启动电路相连接，用于产生偏置电流；一基准产生电路，选择了一种动态阈值MOS晶体管，进一步降低晶体管的阈值电压，获得更小的硅面积和更低的基准电压。

本发明提出了一种低压基准电路，包括：

所述启动电路由第一电容C1、第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2构成；电容C1的一端与电源电压VDD相连接；电容C1的另一端与NM1管的漏极和NM2管的栅极相连接；NM1管的源极和NM2管的源极都接地。

所述正温度系数基准电路由第一电阻R1、第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三NMOS管NM3和第四NMOS管NM4构成；PM1管的源极和PM2管的源极都与电源电压VDD相连接；PM1管的栅极与PM2管的栅极、PM2管的漏极、NM2管的漏极和NM4管的漏极相连接；PM1管的漏极与NM1管的栅极、NM3管的栅极、NM4管的栅极和NM3管的漏极相连接；NM4管的源极与电阻R1的一端相连接；电阻R1的另一端和NM3管的源极接地。

所述基准产生电路由第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第七PMOS管PM7、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第七NMOS管NM7、第八NMOS管NM8和第九NMOS管NM9构成；PM3管的源极、PM4管的源极和PM5管的源极都与电源电压VDD相连接；PM3管的栅极、PM4管的栅极和PM5管的栅极都与NM2管的漏极相连接；PM3管的漏极与NM5管的漏极、NM5管的栅极、NM6管的栅极、PM6管的源极和PM6管的漏极相连接；PM4管的漏极与NM6管的漏极、NM7管的漏极、NM7管的栅极、NM8管的栅极、PM7管的源极和PM7管的漏极相连接；PM5管的漏极与NM8管的漏极、NM9管的漏极和NM9管的栅极相连接，其节点作为基准电压VREF的输出端；NM5管的源极、PM6管的栅极、PM6管的衬底、NM6管的源极、NM7管的源极、PM7管的栅极、PM7管的衬底、NM8管的源极和NM9管的源极都接地。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明一种低压基准电路图；

图2为本发明一种低压基准电路PM6管、PM7管横截面图。

具体实施方式