[发明专利]一种低压基准电路

权利要求书

1.一种低压基准电路，其特征在于，包括：

一启动电路，用于完成所述基准电路的启动；一正温度系数电路，与所述启动电路相连接，用于产生偏置电流；一基准产生电路，选择了一种动态阈值MOS晶体管，进一步降低晶体管的阈值电压，获得更小的硅面积和更低的基准电压。

2.如权利要求1所述的一种低压基准电路，其特征在于：所述启动电路由第一电容C1、第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2构成；电容C1的一端与电源电压VDD相连接；电容C1的另一端与NM1管的漏极和NM2管的栅极相连接；NM1管的源极和NM2管的源极都接地。

3.如权利要求1所述的一种低压基准电路，其特征在于：所述正温度系数基准电路由第一电阻R1、第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三NMOS管NM3和第四NMOS管NM4构成；PM1管的源极和PM2管的源极都与电源电压VDD相连接；PM1管的栅极与PM2管的栅极、PM2管的漏极、NM2管的漏极和NM4管的漏极相连接；PM1管的漏极与NM1管的栅极、NM3管的栅极、NM4管的栅极和NM3管的漏极相连接；NM4管的源极与电阻R1的一端相连接；电阻R1的另一端和NM3管的源极接地。

4.如权利要求3所述的一种低压基准电路，其特征在于：所述基准产生电路由第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第七PMOS管PM7、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第七NMOS管NM7、第八NMOS管NM8和第九NMOS管NM9构成；PM3管的源极、PM4管的源极和PM5管的源极都与电源电压VDD相连接；PM3管的栅极、PM4管的栅极和PM5管的栅极都与NM2管的漏极相连接；PM3管的漏极与NM5管的漏极、NM5管的栅极、NM6管的栅极、PM6管的源极和PM6管的漏极相连接；PM4管的漏极与NM6管的漏极、NM7管的漏极、NM7管的栅极、NM8管的栅极、PM7管的源极和PM7管的漏极相连接；PM5管的漏极与NM8管的漏极、NM9管的漏极和NM9管的栅极相连接，其节点作为基准电压VREF的输出端；NM5管的源极、PM6管的栅极、PM6管的衬底、NM6管的源极、NM7管的源极、PM7管的栅极、PM7管的衬底、NM8管的源极和NM9管的源极都接地。