[发明专利]一种带有高介电常数薄膜的绝缘子及其制备方法在审
申请号: | 201810535626.0 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN108717888A | 公开(公告)日: | 2018-10-30 |
发明(设计)人: | 张逸凡;傅明利;王邸博;侯帅;卓然;惠宝军;罗颜;景一;黄之明 | 申请(专利权)人: | 南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司 |
主分类号: | H01B17/42 | 分类号: | H01B17/42;H01B17/36;H01B19/04;H01B19/02 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 麦小婵;郝传鑫 |
地址: | 510670 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高介电常数薄膜 中央凹入部 中央导体 绝缘子 交界处 绝缘子本体 绝缘气体 内表面 涂覆 制备 绝缘子发生闪络 填充绝缘气体 电力设备 局部集中 绝缘部件 绝缘故障 一端连接 电场法 有效地 击穿 | ||
本发明涉及电力设备绝缘部件技术领域,公开了一种带有高介电常数薄膜的绝缘子及其制备方法,带有高介电常数薄膜的绝缘子包括绝缘子本体以及连接在绝缘子本体上的第一中央导体,绝缘子本体上具有用于填充绝缘气体的中央凹入部,第一中央导体的一端连接在中央凹入部;中央凹入部的内表面、第一中央导体以及绝缘气体的交界处上涂覆有高介电常数薄膜。通过在中央凹入部的内表面与第一中央导体和绝缘气体的交界处上涂覆高介电常数薄膜,有效地降低中央凹入部的内表面与第一中央导体和绝缘气体的交界处上的电场法向分量,从而避免带有高介电常数薄膜的绝缘子在交界处的电场强度存在局部集中,以避免带有高介电常数薄膜的绝缘子发生闪络击穿等绝缘故障。
技术领域
本发明涉及电力设备绝缘部件技术领域,特别是涉及一种带有高介电常数薄膜的绝缘子及其制备方法。
背景技术
气体绝缘开关(GIS,Gas Insulated Switchgear)的盆式绝缘子由于电力设备的运行环境严苛,导致其绝缘故障频发,因此急需提高盆式绝缘子的绝缘性能。
目前,现有盆式绝缘子的材料一般采用环氧树脂基材中填充三氧化二铝的均质材料,其虽然具有较高的机械强度;但是,由于现有盆式绝缘子在绝缘子本体与中央导体和绝缘气体的交界处的结构不规则,因此导致交界处的电场强度存在局部集中的现象,从而导致现有盆式绝缘子容易发生闪络击穿等绝缘故障。
发明内容
本发明的目的是提供一种带有高介电常数薄膜的绝缘子及其制备方法,以解决现有盆式绝缘子在绝缘子本体与中央导体和绝缘气体的交界处的电场强度存在局部集中的技术问题,以避免绝缘子发生闪络击穿的绝缘故障。
为了解决上述技术问题,本发明提供一种带有高介电常数薄膜的绝缘子,包括绝缘子本体以及连接在绝缘子本体上的第一中央导体,所述绝缘子本体上具有用于填充绝缘气体的中央凹入部,所述第一中央导体的一端连接在所述中央凹入部上;所述中央凹入部的内表面、所述第一中央导体以及所述绝缘气体的交界处上涂覆有高介电常数薄膜。
作为优选方案,所述高介电常数薄膜的相对介电常数为8-30。
作为优选方案,所述带有高介电常数薄膜的绝缘子为盆式绝缘子,所述盆式绝缘子的盆式结构为所述中央凹入部。
作为优选方案,所述第一中央导体的一端通过螺钉连接在所述中央凹入部上。
作为优选方案,所述带有高介电常数薄膜的绝缘子还包括第二中央导体,所述第二中央导体的一端连接在所述绝缘子本体的外壁上,且所述第二中央导体与所述第一中央导体位于同一直线上。
为了解决相同的技术问题,本发明还提供一种带有高介电常数薄膜的绝缘子的制备方法,包括:
将树脂、固化剂、无机颗粒填料和稀释剂混合后脱气,形成涂料;
将所述涂料涂覆在绝缘子本体的内表面与中央导体和绝缘气体的交界处上,在所述交界处上形成高介电常数薄膜;
将涂覆有所述高介电常数薄膜的绝缘子进行加热,使稀释剂挥发,以使所述高介电常数薄膜固化在所述交界处上,从而制备出带有高介电常数薄膜的绝缘子。
作为优选方案,所述将所述涂料涂覆在绝缘子本体的内表面与中央导体和绝缘气体的交界处上,在所述交界处上形成高介电常数薄膜具体为:
将所述涂料通过喷涂法或旋涂法涂覆在绝缘子本体的内表面与中央导体和绝缘气体的交界处上,在所述交界处上形成高介电常数薄膜。
作为优选方案,所述将涂覆有所述高介电常数薄膜的绝缘子进行加热,使稀释剂挥发,以使所述高介电常数薄膜固化在所述交界处上,以制备出带有高介电常数薄膜的绝缘子具体为:
将涂覆有所述高介电常数薄膜的绝缘子在真空烘箱中进行加热,使稀释剂挥发,以使所述高介电常数薄膜固化在所述交界处上,以制备出带有高介电常数薄膜的绝缘子。
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