[发明专利]一种镁合金微弧氧化处理工艺

权利要求书

1.一种镁合金微弧氧化处理工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：

S1，将镁合金工件放入超声波清洗设备中，清洗液中添加粒径为纳米级的磨料，利用超声波清洗设备对镁合金工件的表面进行精细打磨；

S2，将S1中打磨后的镁合金工件放入清洗设备中，利用蒸馏水对镁合金工件进行清洗；

S3，将S2中清洗后的镁合金放入微弧氧化设备中进行氧化处理；

S4，将S3中处理后的镁合金工件再次放入清洗设备中清洗，利用蒸馏水对镁合金工件进行清洗；

本工艺中采用的微弧氧化设备包括储液壳体(1)、传送机构(2)、捞出机构(3)、收集机构(4)、氧化机构(5)、搅拌机构(6)、打开机构(7)、暂储罐(8)及连接板(9)，所述储液壳体(1)的一侧连接有所述连接板(9)；所述连接板(9)接触连接于所述传送机构(2)；所述储液壳体(1)的一两相对内侧壁上设有所述氧化机构(5)；所述储液壳体(1)背离所述连接板(9)的一侧设有所述捞出机构(3)；所述储液壳体(1)内的垂直于设有所述氧化机构(5)的相邻两侧壁上设有所述搅拌机构(6)；所述储液壳体(1)的内腔底部设有所述打开机构(7)；其中，

所述打开机构(7)包括第四电机(71)、丝杆(72)、第一密封板(73)及第二密封板(74)，所述储液壳体(1)的内腔底部开口处设有所述第一密封板(73)和所述第二密封板(74)，且所述第一密封板(73)和所述第二密封板(74)之间接触卡合卡合连接，所述第一密封板(73)和所述第二密封板(74)套接于所述丝杆(72)上，所述丝杆(72)固定套接于所述第四电机(71)上，所述第四电机(71)安装于所述储液壳体(1)内；所述储液壳体(1)的底部位于所述第一密封板(73)和所述第二密封板(74)的底部设有所述暂储罐(8)；其中，

所述储液壳体(1)的底部连接于所述收集机构(4)，所述收集机构(4)包括收集箱(4)、隔板(42)、第一电磁阀(43)及第二电磁阀(44)，所述收集箱(4)设于所述储液壳体(1)的底部，且所述暂储罐(8)设于所述收集箱(4)的内部，所述暂储罐(8)的的底面与所述收集箱(4)的内腔底部之间设有所述隔板(42)，且所述隔板(42)将所述收集箱(4)的内部分割为第一容纳空腔(41a)和第二容纳空腔(41b)，所述暂储罐(8)的内腔连通至所述第一容纳空腔(41a)的通道内设有所述第一电磁阀(43)，所述暂储罐(8)的内腔连通至所述第二容纳空腔(41b)的通道内设有所述第二电磁阀(44)。

2.根据权利要求1所述的一种镁合金微弧氧化处理工艺，其特征在于：所述传送机构(2)包括侧挡板(21)、传送带(22)、第一辊轮(23)及第一电机(24)，所述传送带(22)接触连接于所述连接板(9)，所述传送带(22)套接于所述第一辊轮(23)上，所述第一辊轮(23)套接于所述第一电机(24)上，所述第一电机(24)安装于所述侧挡板(21)上，所述传动带卡合固定在两个侧挡板(21)之间。

3.根据权利要求1所述的一种镁合金微弧氧化处理工艺，其特征在于：所述捞出机构(3)包括第二辊轮(31)、支撑滤网(32)、第一转动柱(33)及第二电机(34)，所述第二电机(34)安装于所述储液壳体(1)上背离所述连接板(9)的一侧壁的顶端，所述第二电机(34)的转轴上套接有所述第一转动柱(33)的一端，所述第一转动柱(33)的另一端转动连接于所述储液壳体(1)上，所述第一转动柱(33)上套接有所述第二辊轮(31)，所述第二辊轮(31)的侧壁上连接有所述支撑滤网(32)，其所述支撑滤网(32)延伸至所述储液壳体(1)的内腔中。

4.根据权利要求3所述的一种镁合金微弧氧化处理工艺，其特征在于：所述支撑滤网(32)呈顶端开口四棱台形结构，且所述支撑滤网(32)的背离所述第一辊轮(23)的一端侧壁高度低于所述连接板(9)连接于所述储液壳体(1)的高度，且所述传送带(22)的高度大于所述储液壳体(1)的顶面高度，所述连接板(9)倾斜连接于所述储液壳体(1)与所述传送带(22)之间。