[发明专利]一种真空传输装置有效
申请号: | 201810521696.0 | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN109065487B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 王慧勇;肖慧 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周长清;戴玲 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 真空 传输 装置 | ||
本发明公开了一种真空传输装置,包括传输组件、第一真空腔体、第二真空腔体和真空发生器,传输组件包括输送带和驱动输送带转动的传送驱动机构,第一真空腔体位于输送带的输送段的下方,并与输送段贴合,第一真空腔体与第二真空腔体之间通过支撑组件连接,且二者通过连接管道连通,真空发生器与第二真空腔体连通,输送段与第一真空腔体贴合的表面沿着输送方向设有真空吸附孔,真空吸附孔与第一真空腔体连通。本发明具有负压均匀稳定、能够快速平稳传输电池片的优点。
技术领域
本发明涉及PERC高效电池制造的自动化设备领域,尤其涉及一种真空传输装置。
背景技术
2015年光伏领跑者计划推出,国家通过此项计划引导光伏行业有序升级,行业积极响应并顺势加快高效电池技术从研发走向量产的步伐。经过市场大浪淘沙,光伏行业主要选择的主要高效电池技术有:多晶黑硅电池技术、N型单晶双面电池技术以及P型单晶PERC电池技术。
和常规单晶电池工艺相比,PERC单晶电池主要增加了背面钝化、背面SiNx膜沉积和激光打孔三道工艺。最近几年随着沉积AlOx产业化制备技术和设备的成熟,及多种激光设备在PERC工艺上的成功应用,PERC技术开始逐步走向产业化。同时PERC电池大面积的量产效率持续攀升,单晶PERC电池产线效率普遍达到21-21.5%,多晶达到20-20.5%左右。工业化大面积单晶PERC和多晶PERC电池的最高转换效率分别达到22.6%(我国常州天合)和21.63%(我国晶科),近几年PERC电池越来越引起行业重视,产能获得快速扩张。
PERC工艺要求激光消融设备按照工艺图形精准去除覆盖在电池背面的钝化层和SiNx覆盖层,使后续工序丝网印刷的铝浆可以与电池背面的硅片形成有效接触,让光生电流通过接触的铝浆导出。因Al浆无法穿透SiNx层,其余未被激光去除的钝化层被覆盖在其上方的SiNx覆盖层保护,从而降低表面复合速率,大大提升PERC电池工艺的效率。
激光消融设备的加工工艺是电池片经视觉系统定位后再进行激光打标,电池片在传输过程保持位置相对固定,从而实现按照工艺图形的精准加工。现有技术中,采用真空传输装置进行电池片的输送,该真空装置主要是输送带的输送段与真空腔体的表面贴合,二者结合面均设置真空吸附小孔,真空腔体直接与真空发生器连接。然而这种结构,电池片在输送的过程中,真空腔体消耗的真空远比真空发生器提供的真空多,从而造成电池片吸附不稳定。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种负压均匀稳定、能够快速平稳传输电池片真空传输装置。
为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案:
一种真空传输装置,包括传输组件、第一真空腔体、第二真空腔体和真空发生器,所述传输组件包括输送带和驱动输送带转动的传送驱动机构,所述第一真空腔体位于输送带的输送段的下方,并与输送段贴合,所述第一真空腔体与第二真空腔体之间通过支撑组件连接,且二者通过连接管道连通,所述真空发生器与第二真空腔体连通,所述第一真空腔体与输送段贴合的表面沿着输送方向设有成排的第一气孔,所述输送带上设有成排的第二气孔,所述第一气孔的数量与输送段内的第二气孔数量相同,且二者重合。
作为上述技术方案的进一步改进:
所述第二真空腔体的腔体容积不小于第一真空腔体的腔体容积与连接管道的容积之和。
所述第一真空腔体与输送段贴合的表面的两端设有无真空吸附区。
所述输送带包括并排间隔设置的两个子输送带,所述两个子输送带均由传送驱动机构驱动,所述两个子输送带均设有一排第二气孔,所述第一真空腔体包括两个子真空腔体,两个子真空腔体均设有一排第一气孔,两个子输送带与两个子真空腔体一一对应。
所述第二真空腔体与两个子真空腔体之间设有多根所述连接管道,所述多根连接管道两两一组,每一组的两根连接管道分别与两个子真空腔体连通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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