[发明专利]差异层形成工艺和由此形成的结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

有源区，位于衬底上，所述有源区包括源极/漏极区；

栅极结构，位于所述有源区上方，所述源极/漏极区邻近所述栅极结构；

栅极间隔件，沿着所述栅极结构的侧壁；以及

差异蚀刻停止层，具有沿着所述栅极间隔件的侧壁的第一部分并且具有位于所述源极/漏极区的上表面上方的第二部分，所述第一部分的第一厚度在垂直于所述栅极间隔件的侧壁的方向上，所述第二部分的第二厚度在垂直于所述源极/漏极区的上表面的方向上，所述第二厚度大于所述第一厚度，

其中，所述源极/漏极区是外延源极/漏极区，所述外延源极/漏极区的上表面具有切面，从而使得所述外延源极/漏极区的上表面具有水平分量和垂直分量，所述切面上方的所述差异蚀刻停止层的所述第二厚度大于所述第一厚度，

其中，所述源极/漏极区的上表面是使用定向等离子体活化激活的表面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述切面上方的所述差异蚀刻停止层的所述第二厚度均匀。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述差异蚀刻停止层包括氮化硅。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二厚度比所述第一厚度大至少2纳米(nm)。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

层间电介质(ILD)，位于所述差异蚀刻停止层上方；以及

导电部件，穿过所述层间电介质和所述差异蚀刻停止层的第二部分并且接触所述源极/漏极区。

6.一种处理半导体的方法，包括：

在衬底上的器件结构上方形成差异层，形成所述差异层包括：

在第一暴露中，将所述器件结构暴露于一种或多种第一前体；

在所述第一暴露之后，使用定向等离子体活化激活所述器件结构上的上表面；和

在激活所述器件结构上的上表面之后，在第二暴露中，将所述器件结构暴露于一种或多种第二前体，其中，当将所述器件结构暴露于所述一种或多种第二前体时，与所述器件结构上的未激活表面相比，在所述器件结构上的激活的上表面处发生更多的反应。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

所述一种或多种第一前体包括不包含在所述一种或多种第二前体中的第一前体；

在所述第一暴露期间，所述第一前体与所述器件结构的上表面和侧壁表面反应，所述器件结构的上表面具有水平分量；

被激活的所述器件结构上的上表面是所述器件结构的反应的上表面；以及

所述一种或多种第二前体包括不包含在所述一种或多种第一前体中的第二前体。

8.根据权利要求7所述的方法，其中：

所述第一前体是二氯甲硅烷(SiH₂Cl,DCS)；以及

所述第二前体是氨气(NH₃)，并且所述第二暴露包括等离子体。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述差异层包括使用原子层沉积(ALD)工艺。

10.根据权利要求6所述的方法，其中：

所述一种或多种第一前体包括至少两种前体；

在所述第一暴露期间，所述至少两种前体反应以在所述器件结构的侧壁表面和上表面上形成所述差异层的部分，所述器件结构的上表面具有水平分量；

被激活的所述器件结构上的所述上表面是所述差异层的位于所述器件结构的上表面上的部分的上表面；以及

所述一种或多种第二前体包括至少两种前体。

11.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述差异层包括使用化学气相沉积(CVD)工艺，其中，利用所述化学气相沉积工艺原位实施所述定向等离子体活化。