[发明专利]不间断电源的含铂电极的制备方法

说明书

一种不间断电源的含铂电极的制备方法:步骤1：通过离子溅射法在FTO导电玻璃基板（FTO导电玻璃为掺杂氟的SnO2透明导电玻璃(SnO2：F)，简称为FTO）上涂覆一层的金属金薄膜，所使用的仪器为HitachiE‑1010离子溅射仪，设置的参数为压力12 Pa，电流14 mA，时间25 s，喷一层金薄膜的目的是将金作为种子使后续的铂沉积能够从FTO的表面开始生长。

技术领域

本发明涉及一种电池电极，尤其是应用于不间断电源的含铂电极的制备方法。

背景技术

金属铂具有很强的抗腐蚀性，覆盖到电极上后，能提升电池性能和寿命，但是现有的制备含铂电极的工艺复杂，耗能高，不利于大规模工业化。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提出一种全新的制备方法，简化工艺流程，提高制备效率。

一种不间断电源的含铂电极的制备方法: 步骤1：通过离子溅射法在FTO导电玻璃基板（FTO导电玻璃为掺杂氟的SnO2透明导电玻璃(SnO2：F)，简称为FTO）上涂覆一层的金属金薄膜，所使用的仪器为HitachiE-1010离子溅射仪，设置的参数为压力12 Pa，电流14 mA，时间25 s，喷一层金薄膜的目的是将金作为种子使后续的铂沉积能够从FTO的表面开始生长； 步骤2：将1.1 mL氯铂酸（浓度为20 mg/mL）, 0.4g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液（浓度为20 mg/mL）与20 mL 甲基乙基胺（浓度为10 mg/mL）混合均匀，溶液由无色透明渐渐变为黄色浑浊液； 步骤3：将上述混合液放入60 mL的氟化乙烯丙烯共聚物衬底的高压釜中，同时将步骤1制备的含有金颗粒的FTO玻璃基底正面朝上放入高压釜，使其完全浸没在反应液中； 步骤4：将密封的高压反应釜放置于1500C烘箱中恒温保持2小时，从而制得初级含铂电极。 步骤5：将1.0 mL氯铂酸（浓度为20 mg/mL）, 0.6g月桂酸异鲸蜡酯, 0.2g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液（浓度为20 mg/mL）与20 mL 甲基乙基胺（浓度为10 mg/mL）混合均匀，溶液由无色透明渐渐变为黄色浑浊液； 步骤6：将上述混合液放入70 mL的氟化乙烯丙烯共聚物衬底的高压釜中，同时将步骤4制备的初级含铂电极正面朝上放入高压釜，使其完全浸没在反应液中； 步骤7：将密封的高压反应釜放置于1800C烘箱中恒温保持1小时，从而制得成品含铂电极。

具体实施方式

实施例1

一种不间断电源的含铂电极的制备方法: 步骤1：通过离子溅射法在FTO导电玻璃基板（FTO导电玻璃为掺杂氟的SnO2透明导电玻璃(SnO2：F)，简称为FTO）上涂覆一层的金属金薄膜，所使用的仪器为HitachiE-1010离子溅射仪，设置的参数为压力12 Pa，电流14 mA，时间25 s，喷一层金薄膜的目的是将金作为种子使后续的铂沉积能够从FTO的表面开始生长； 步骤2：将1.1 mL氯铂酸（浓度为20 mg/mL）, 0.4g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液（浓度为20 mg/mL）与20 mL 甲基乙基胺（浓度为10 mg/mL）混合均匀，溶液由无色透明渐渐变为黄色浑浊液； 步骤3：将上述混合液放入60 mL的氟化乙烯丙烯共聚物衬底的高压釜中，同时将步骤1制备的含有金颗粒的FTO玻璃基底正面朝上放入高压釜，使其完全浸没在反应液中； 步骤4：将密封的高压反应釜放置于1500C烘箱中恒温保持2小时，从而制得初级含铂电极。 步骤5：将1.0 mL氯铂酸（浓度为20 mg/mL）, 0.6g月桂酸异鲸蜡酯, 0.2g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液（浓度为20 mg/mL）与20 mL 甲基乙基胺（浓度为10 mg/mL）混合均匀，溶液由无色透明渐渐变为黄色浑浊液； 步骤6：将上述混合液放入70 mL的氟化乙烯丙烯共聚物衬底的高压釜中，同时将步骤4制备的初级含铂电极正面朝上放入高压釜，使其完全浸没在反应液中； 步骤7：将密封的高压反应釜放置于1800C烘箱中恒温保持1小时，从而制得成品含铂电极。

实施例2