[发明专利]一种双重图像存储材料、其制备方法和应用

说明书

本发明属于光聚合材料技术领域，更具体地，涉及一种双重图像存储材料、其制备方法和应用，该双重图像存储材料通过1～50重量份的有机荧光材料、7～50重量份的液晶、0.2～10重量份的光引发剂以及33～67重量份的光聚合单体进行选择性光反应得到。所得到的双重图像存储材料，既可在日光下呈现高亮度的全息图案，又可在同一空间位置呈现紫外光激发的荧光图案。所呈现的全息图案与荧光图案可以相同、也可以不同。所得到的双重图像存储材料可用于光学防伪、光学信息存储、显示器等领域。

技术领域

本发明属于光聚合材料技术领域，更具体地，涉及一种双重图像存储材料、其制备方法和应用。

背景技术

图像存储在光学防伪、光学信息存储、显示器等领域应用广泛。全息技术是图像存储的一种有效手段。全息技术的基本原理是，空间中两束相干激光干涉形成光栅，将相干激光的振幅和相位信息同时记录，实现三维(3D)信息存储。全息技术也可记录二维(2D)图像。全息技术不仅在数据存储、分布反馈式激光器和传感器等领域有广泛应用，由于所记录的图像具有良好的视觉效果、显著的大众识别能力以及较难的仿造工艺等特点，全息技术在高端光学防伪中也占据重要地位。

在防伪领域，随着科技的发展，现有技术面临很大挑战。为了提高防伪的安全性和垄断性，发展多功能防伪技术是一条有效途径。将全息技术与其他相关学科结合以提高防伪性能，已成为防伪技术的发展方向。

光学防伪具有识别便捷的特点，是最强有力的防伪手段。全息技术与荧光显示技术结合，在同一空间位置但不同条件下显示两种图像，可实现显性防伪和隐性防伪的有机统一，有效提高防伪能力。但是，大多有机荧光材料都存在聚集诱导荧光淬灭效应(ACQ)，即在固体状态下表现出明显的荧光亮度降低。目前缺乏行之有效的全息图像和荧光图像双重光学防伪图像存储材料。

发明内容

针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种双重图像存储材料、其制备方法和应用，其目的在于提供一种双重图像存储材料，实现全息图像和荧光图像在同一空间但不同光照下的独立显示，由此提高防伪技术的安全性和垄断性。

为实现上述目的，按照本发明的一个方面，提供了一种双重图像存储材料，于该双重图像存储材料的同一空间位置，在日光下能够呈现肉眼可见的全息图案，在紫外光下能够呈现荧光图案；所述的全息图案为二维图像或三维图像。

优选地，所述的双重图像存储材料通过1～50重量份的有机荧光材料、7～50重量份的液晶、0.2～10重量份的光引发剂以及33～67重量份的光聚合单体进行选择性光反应得到。

优选地，所述的光聚合单体为单官能度单体与多官能度单体的混合物，二者质量比为3:1～1:2；所述单官能度单体为N,N-二甲基丙烯酰胺、丙烯酸-β-羟乙酯、甲基丙烯酸-β-羟乙酯、丙烯酸和甲基丙烯酸中的一种或几种；所述多官能度单体为二甲基丙烯酸乙二醇酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯和超支化丙烯酸酯中的一种或几种。

优选地，所述有机荧光材料为TPE、1,2,3,4,5-五苯基-1H-吡咯、HPS、THBA、DSA、PDAB和二苯亚甲基芴中的一种或几种，其结构式如下所示：

且所述有机荧光材料的结构式中取代基R各自独立地选自正己基、正戊基、香茅醇基、4-氰基-4'-庚基联苯、4-正辛氧基-4'-氰基联苯、4-氰基-4'-戊基联苯和4-正丁氧基-4'-氰基联苯。

优选地，所述的液晶为4-氰基-4'-庚基联苯(7CB)、4-氰基-4'-戊基联苯(5CB)、4-正辛氧基-4'-氰基联苯(8OCB)、4-正丁氧基-4'-氰基联苯(4OCB)、联苯偶氰类液晶混合物E7和联苯偶氰类液晶混合物P0616A中的一种或几种。