[发明专利]一种双重图像存储材料、其制备方法和应用

权利要求书

1.一种双重图像存储材料，其特征在于，于该双重图像存储材料的同一空间位置，在日光下能够呈现肉眼可见的全息图案，在紫外光下能够呈现荧光图案；所述的全息图案为二维图像或三维图像；

该双重图像存储材料通过1～50重量份的有机荧光材料、7～50重量份的液晶、0.2～10重量份的光引发剂以及33～67重量份的光聚合单体进行选择性光反应得到；

所述有机荧光材料为TPE、1,2,3,4,5-五苯基-1H-吡咯、HPS、THBA、DSA、PDAB和二苯亚甲基芴中的一种或几种，其结构式如下所示：

且所述有机荧光材料的结构式中取代基R各自独立地选自正己基、正戊基、香茅醇基、4-氰基-4'-庚基联苯、4-正辛氧基-4'-氰基联苯、4-氰基-4'-戊基联苯和4-正丁氧基-4'-氰基联苯。

2.如权利要求1所述的双重图像存储材料，其特征在于，所述的光聚合单体为单官能度单体与多官能度单体的混合物，其中所述单官能度单体与多官能度单体的质量比为3:1～1:2；所述单官能度单体为N,N-二甲基丙烯酰胺、丙烯酸-β-羟乙酯、甲基丙烯酸-β-羟乙酯、丙烯酸和甲基丙烯酸中的一种或几种；所述多官能度单体为二甲基丙烯酸乙二醇酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯和超支化丙烯酸酯中的一种或几种。

3.如权利要求1所述的双重图像存储材料，其特征在于，所述的液晶为4-氰基-4'-庚基联苯、4-氰基-4'-戊基联苯、4-正辛氧基-4'-氰基联苯、4-正丁氧基-4'-氰基联苯、联苯偶氰类液晶混合物E7和联苯偶氰类液晶混合物P0616A中的一种或几种。

4.如权利要求1所述的双重图像存储材料，其特征在于，所述的光引发剂为紫外光引发剂或可见光引发剂；所述的可见光引发剂为双(1-(2,4-二氟苯基)-3-吡咯基)二茂钛、3,3'-羰基双(7-二乙胺香豆素)和N-苯基甘氨酸的混合物或四碘四氯荧光素钠盐和N-苯基甘氨酸的混合物；所述的紫外光引发剂为二(2,6-二甲氧基苯甲酰)-2,4,4-三甲基戊基氧化磷和2-羟基-2-甲基-1-苯基丙酮的混合物。

5.如权利要求1至4任一项所述的双重图像存储材料的制备方法，其特征在于，包括如下制备步骤：

(1)将1～50重量份的有机荧光材料、7～50重量份的液晶、0.2～10重量份的光引发剂以及33～67重量份的光聚合单体混合均匀，获得双重图像存储材料前驱体；

(2)将步骤(1)所述的双重图像存储材料前驱体封装在液晶盒中，并用相干激光照射，使所述光聚合单体发生自由基聚合，得到存储了全息图像的全息材料；

(3)将步骤(2)得到的全息材料，采用紫外光透过掩模板进行照射，获得同时存储了全息图像和荧光图像的双重图像存储材料，所述掩模板 用于定义荧光图像的图案；

(4)将步骤(3)所得到的双重图像存储材料采用可见光或紫外光进行后固化，使剩余光聚合单体完全反应，将图像固定。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述相干激光的波长为432～633纳米，相干激光照射时间为10～50秒。

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述紫外光的波长为200～370纳米，照射光强为10～200毫瓦/平方厘米，照射时间为2～60分钟。

8.一种如权利要求1至4任一项所述的双重图像存储材料的应用，其特征在于，所述的双重图像存储材料用于光学防伪、光学信息存储或显示器领域。