[发明专利]一种二极管酸洗处理系统有效
| 申请号: | 201810491386.9 | 申请日: | 2018-05-21 |
| 公开(公告)号: | CN108550540B | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
| 发明(设计)人: | 李慧;肖松松 | 申请(专利权)人: | 泗县田原秸秆回收再利用有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/04;B08B3/08 |
| 代理公司: | 合肥东邦滋原专利代理事务所(普通合伙) 34155 | 代理人: | 李蕾 |
| 地址: | 234312 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 二极管 酸洗 处理 系统 | ||
本发明属于二极管制造技术领域,具体的说是一种二极管酸洗处理系统,包括箱体、摆动模块、放置盒和酸洗板;箱体底部设有摆动模块,摆动模块用于向箱体内注入酸液,摆动模块上端设有放置盒;放置盒位于箱体中部,酸洗板安装在放置盒内;酸洗板用于放置二极管。通过一边注入酸液,一边将酸液导出进行杂质过滤,增加酸液流动性,提高酸洗效率;杂质过滤装置非本案创新之处,在此不做详述;摆动模块在向箱体内注入酸液的同时使得放置盒摆动,增加酸液的流动性。本发明通过在摆动模块上端设有放置盒,酸洗板安装在放置盒内,通过摆动模块在向箱体内注入酸液的同时使得放置盒摆动,增加酸液的流动性,提高二极管酸洗效率。
技术领域
本发明属于二极管制造技术领域,具体的说是一种二极管酸洗处理系统。
背景技术
二极管,是电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断(称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。
现有的二极管表面酸洗装置一般是包括酸洗盘和酸洗槽,酸洗盘设置于酸洗槽上,酸洗盘上设置有漏酸孔,将洗涤二极管表面的酸液流入到酸洗槽中,经过处理后,能够回收利用。酸洗过程中要使用混合酸、双氧水等化学试剂对二极管的表面进行处理,混合酸通常由硝酸、硫酸、氢氟酸和乙酸等按一定比例混合而成。
现有技术中也出现了一些二极管酸洗的技术方案,如申请号为2015109190538的一项中国专利公开了二极管制造领域内的二极管酸洗机,包括包括酸洗槽、底座、酸液箱。所述酸洗槽位于底座的上端,所述酸洗槽一侧的底座上设有竖向的支架,所述酸液箱固定在支架靠近酸洗槽的一侧,所述酸液箱位于酸洗槽的上方,酸液箱的底部设有供液管。所述支架的顶端设有集流罩,集流罩的顶端设有抽风机,抽风机上连接有排气管。所述集流罩位于酸洗槽的上方,集流罩下端的外侧壁上铰接有转轴,转轴上固定有透明的隔离布。
该技术方案能够对二级管进行酸洗,该方案通过超声波震板使酸洗过程中二极管与酸液充分接触,提高酸洗效率和酸洗质量;超声波清洗时,由于发生空化作用时会产生上千个大气压力,能够破坏不溶性污物,但同时也会对物件产生破坏,造成二极管损伤。
发明内容
为了弥补现有技术的不足,本发明提出的一种二极管酸洗处理系统,在摆动模块上端设有放置盒,酸洗板安装在放置盒内,通过摆动模块在向箱体内注入酸液的同时使得放置盒摆动,增加酸液的流动性,提高二极管酸洗效率。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:本发明所述的一种二极管酸洗处理系统,包括箱体、摆动模块、放置盒和酸洗板;所述箱体底部设有摆动模块,所述摆动模块用于向箱体内注入酸液,所述摆动模块上端设有放置盒;所述放置盒位于箱体中部,所述酸洗板安装在放置盒内;所述酸洗板用于放置二极管。通过一边注入酸液,一边将酸液导出进行杂质过滤,增加酸液流动性,提高酸洗效率;杂质过滤装置非本案创新之处,在此不做详述;摆动模块在向箱体内注入酸液的同时使得放置盒摆动,增加酸液的流动性。
所述摆动模块包括进液管、支管、堵块和支撑弹片;所述进液管安装在箱体底部中部,所述进液管一端连接供液箱,所述进液管另一端球接在放置盒底部;所述进液管外圈设有一组支管;一组支管呈螺旋式安装在进液管外圈;所述进液管内部滑动安装着堵块;所述堵块一端设置开口;所述堵块中部设有出液孔;堵块的出液孔能够依次连通不同的支管;所述进液管外周设有一组支撑弹片,所述支撑弹片对应支管设置;所述支撑弹片一端固连在箱体底板上;所述支撑弹片另一端通过弹簧连接在放置盒底部。通过进液管向箱体内注入酸液,堵块在酸液的推动下往上移动,堵块的出液孔能够依次连通不同的支管,而一组支管是螺旋状设置在进液管外圈,这就使得相对应的支撑弹片依次受到冲击力,相应的,能够使得支撑弹片连接的放置盒产生晃动,提高酸洗效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





