[发明专利]一种掩膜版及液晶面板不良品再利用的方法

说明书

本发明公开了一种掩膜版，包括：显示区光罩以及设置在显示区光罩周围的配线区光罩，所述配线区光罩为全不透光，所述显示区光罩包括多个像素区以及位于两个相邻像素区之间的间隔区，所述间隔区为完全不透光，每个像素区具有曝光图形，所述曝光图形为间断的。本发明还公开了一种使用上述掩膜版进行液晶面板不良品再利用的方法，通过该方法可以在不增加UV2A分断设备的情况下，对UV2A生产线生产过程中的不良品进行再利用，既可以对不良品中的良品部分进行回收，同时减少不良品后流造成的产能及生产原材料的浪费，减少了产品的报废，节约了生产成本，提升了生产效益。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及液晶面板制造中使用的掩膜版以及使用该掩膜版进行液晶面板不良品再利用的方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)是液晶显示器的一种，它具有低能耗、高亮度、高对比度、高响应速度、环保等特点，被广泛应用于电视、平板显示器及投影仪上。随着技术的革新以及市场的需求，大尺寸面板需求逐年增加，越来越多的面板厂开始提升大尺寸面板的产能占比。

液晶面板在制作的过程中，配向技术是一个比较关键的技术，现阶段的生产中，主要的配向技术有两种：紫外线光配向(Ultraviolet induced multi-dom ain VerticalAlignment，简称UV2A)、多象限垂直配向技术(multi-domain V ertical Alignment，简称MVA)。

两种配向方式从制程到配向原理都有所不同，图1为多象限垂直配向技术(MVA)模式在成盒制程中的流程图，多象限垂直配向技术(MVA)模式在彩膜基板(CF)侧进行涂覆配向膜材料，再通过曝光和显像处理形成凸起物，再在凸起物上涂覆配向膜材料，对涂覆的配向膜材料采用多象限垂直配向技术(MVA)模式进行配向处理，在阵列基板(TFT)侧，形成阵列基板时，在导电图形(ITO)上形成狭缝结构，在导电图形(ITO)上，涂覆配向膜材料，对涂覆的配向膜材料采用多象限垂直配向技术(MVA)模式进行配向处理，最后将阵列基板和彩膜基板贴合形成液晶显示器。

图2为UV2A模式在成盒制程中的流程图，UV2A模式则是在彩膜基板(CF)侧和阵列基板(TFT)侧涂覆配向膜材料，然后进行紫外线光配向(UV2A)曝光处理，最后彩膜基板侧(CF侧)与阵列基板侧(TFT侧)贴合形成液晶显示器。

图3为多象限垂直配向技术(MVA)模式配向原理图，多象限垂直配向技术(MVA)模式液晶显示器包括彩膜基板、阵列基板以及夹设在彩膜基板和阵列基板之间的液晶10，阵列基板包括第一玻璃基板13、位于第一玻璃基本13上的第一导电图形12、以及位于第一导电图形12上的第一配向膜11。彩膜基板包括第二玻璃基板7、位于第二玻璃基板7上的第二导电图形8、以及位于第二导电图形8上的第二配向膜9。

其中，第二配向膜9与第二导电图形8之间形成凸起5，第一配向膜11和第一导电图形12之间具有狭缝6。多象限垂直配向技术(MVA)模式液晶显示器主要利用液晶分子本身的特性，通过形成凸起5以及裂缝6使液晶10偏向某一角度静止。

图3的第一图形为常黑模式的多象限垂直配向技术(MVA)液晶显示器，图3的第二图形为常白模式的多象限垂直配向技术(MVA)液晶显示器。

图4为UV2A模式配向原理图，UV2A模式液晶显示器包括彩膜基板、阵列基板以及夹设在彩膜基板和阵列基板之间的液晶10，阵列基板包括第一玻璃基板13、位于第一玻璃基板13上的第一导电图形12以及位于第一导电图形12上的光配向膜层15。彩膜基板包括第二玻璃基板7、位于第二玻璃基板7上的第二导电图形8以及位于第二导电图形8上的第二光配向膜层14。

图4的第一图形为常黑模式的UV2A模式液晶显示器，图4的第二图形为常白模式的UV2A模式液晶显示器。