[发明专利]功率放大电路有效
申请号: | 201810486299.4 | 申请日: | 2018-05-18 |
公开(公告)号: | CN109039289B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 松井俊树;佐佐木健次;播磨史生 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/19;H03F3/21;H03F3/45 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朴云龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 放大 电路 | ||
本发明提供一种能够在抑制功率放大电路的特性的劣化的同时抑制多个单位晶体管间的温度分布的不均匀的功率放大电路。功率放大电路具备:第一晶体管组,包含多个单位晶体管,对输入信号进行放大并输出放大信号;偏置电路,对第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极供给偏置电流或偏置电压;多个第一电阻元件,分别连接在第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极与偏置电路的输出之间;以及多个第二电阻元件,分别连接在第一晶体管组的各单位晶体管的发射极或源极与基准电位之间。
技术领域
本发明涉及功率放大电路。
背景技术
在搭载于便携式电话等移动体通信机的功率放大电路中,一般来说,作为放大器而使用双极晶体管。双极晶体管具有如下的热正反馈特性,即,若晶体管元件的温度上升,则集电极电流增加,由此温度进一步上升而集电极电流增加。因此,例如在双极晶体管由多个单位晶体管构成的情况下,若在各单位晶体管间产生温度差,则温度比较高的单位晶体管会引入其它单位晶体管的集电极电流,其结果是,可能产生由多个单位晶体管构成的晶体管组整体的集电极电流下降的现象(电流崩塌现象)。
因此,为了抑制各单位晶体管的温度上升,例如已知有在各单位晶体管的发射极与接地之间插入电阻元件(以下,也称作“发射极镇流电阻”。)的结构。通过插入发射极镇流电阻,从而能够抑制多个单位晶体管间的温度分布的不均匀,进而能够避免电流崩塌现象的产生。
发明内容
发明要解决的课题
关于这样的发射极镇流电阻,如果不具有某种程度以上的电阻值,则抑制温度分布的不均匀的效果会降低。然而,如果发射极镇流电阻的电阻值过大,则可能会导致功率放大电路的输出功率的减小、功率附加效率的下降等。
本发明是鉴于这样的情形而完成的,其目的在于,提供一种能够在抑制功率放大电路的特性的劣化的同时抑制多个单位晶体管间的温度分布的不均匀的功率放大电路。
用于解决课题的技术方案
为了达成这样的目的,本发明的一个侧面涉及的功率放大电路具备:第一晶体管组,包含多个单位晶体管,对输入信号进行放大并输出放大信号;偏置电路,对第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极供给偏置电流或偏置电压;多个第一电阻元件,分别连接在第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极与偏置电路的输出之间;以及多个第二电阻元件,分别连接在第一晶体管组的各单位晶体管的发射极或源极与基准电位之间。
发明效果
根据本发明,能够提供一种能够在抑制功率放大电路的特性的劣化的同时抑制多个单位晶体管间的温度分布的不均匀的功率放大电路。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。
图2是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路包含的放大器以及偏置电路的电路图的一个例子的图。
图3是示出发射极镇流电阻的温度特性的图像的曲线图。
图4A是示出比较例涉及的功率放大电路包含的多个单位晶体管的温度分布的仿真结果的一个例子的曲线图。
图4B是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路包含的多个单位晶体管的温度分布的仿真结果的一个例子的曲线图。
图5是示出本发明的第一实施方式的变形例涉及的功率放大电路包含的放大器以及偏置电路的电路图的一个例子的图。
图6是示出本发明的第二实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。
图7是示出本发明的第二实施方式涉及的功率放大电路包含的放大器以及偏置电路的电路图的一个例子的图。
图8是示出本发明的第三实施方式涉及的功率放大电路包含的放大器以及偏置电路的电路图的一个例子的图。
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