[发明专利]功率放大电路

权利要求书

1.一种功率放大电路，具备：

第一晶体管组，包含多个单位晶体管，对输入信号进行放大并输出放大信号；

偏置电路，对所述第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极供给偏置电流或偏置电压；

多个第一电阻元件，分别连接在所述第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极与所述偏置电路的输出之间；以及

多个第二电阻元件，分别连接在所述第一晶体管组的各单位晶体管的发射极或源极与基准电位之间，

所述功率放大电路还具备：

第二晶体管组，包含多个单位晶体管，对所述输入信号进行放大并输出所述放大信号；以及

多个第三电阻元件，分别连接在所述第二晶体管组的各单位晶体管的发射极或源极与基准电位之间，

在所述功率放大电路的动作模式为输出给定电平以上的功率的第一模式的情况下，所述第一晶体管组的各单位晶体管以及所述第二晶体管组的各单位晶体管导通，

在所述动作模式为输出不足所述给定电平的功率的第二模式的情况下，所述第一晶体管组的各单位晶体管截止且所述第二晶体管组的各单位晶体管导通。

2.一种功率放大电路，具备：

第一晶体管组，包含多个单位晶体管，对输入信号进行放大并输出放大信号；

偏置电路，对所述第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极供给偏置电流或偏置电压；

多个第一电阻元件，分别连接在所述第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极与所述偏置电路的输出之间；以及

多个第二电阻元件，分别连接在所述第一晶体管组的各单位晶体管的发射极或源极与基准电位之间，

所述功率放大电路形成在半导体基板上，

在所述半导体基板上，所述多个第一电阻元件分别形成在比所述多个第二电阻元件远离所述第一晶体管组的各单位晶体管的位置。

3.根据权利要求2所述的功率放大电路，其中，

所述功率放大电路还具备：多个电容元件，一端被供给所述输入信号，另一端与所述第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极连接，

在所述半导体基板的俯视下，所述多个电容元件分别形成在所述第一晶体管组的各单位晶体管与所述多个第一电阻元件之间。