[发明专利]半导体装置及其控制方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

晶体谐振器；

振荡电路，所述振荡电路使所述晶体谐振器振荡并且输出频率信号；

可变负载电容电路，所述可变负载电容电路包括并联耦合到所述晶体谐振器的一端的多个负载电容元件以及分别串联耦合到所述负载电容元件的多个开关；以及

开关控制单元，所述开关控制单元基于下述信息来控制所述开关的通/断，所述信息是由于温度改变引起的所述频率信号的频率偏差的指标，

其中，当所述信息未包括在预定容许范围之内时，所述开关控制单元改变所述多个开关当中的将要导通的开关的数量，使得所述频率偏差的绝对值变小。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：

温度传感器，所述温度传感器检测所述晶体谐振器的温度，

其中，所述信息是由所述温度传感器检测到的温度信息。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述信息是所述频率信号的频率与从外部主无线装置接收到的无线信号的主频率之间的频移信息。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述开关控制单元在未发送或接收分组的时段期间改变所述多个开关当中的将要导通的开关的数量。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述负载电容元件的电容彼此相等。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述可变负载电容电路进一步包括并联耦合到所述晶体谐振器的另一端的多个负载电容元件以及分别串联耦合到所述负载电容元件的多个开关。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，

其中，耦合到所述晶体谐振器的一端的所述负载电容元件的数量和耦合到所述晶体谐振器的另一端的所述负载电容元件的数量是相同的。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，

其中，耦合到所述晶体谐振器的一端和另一端的所述负载电容元件的电容彼此相等。

9.一种半导体装置的控制方法，所述半导体装置包括：

晶体谐振器；

振荡电路，所述振荡电路使所述晶体谐振器振荡并且输出频率信号，以及

可变负载电容电路，所述可变负载电容电路包括并联耦合到所述晶体谐振器的一端的多个负载电容元件以及分别串联耦合到所述负载电容元件的多个开关，所述控制方法包括：

获取下述信息，所述信息是由于温度改变引起的所述频率信号的频率偏差的指标，并且

当获取的信息未包括在预定容许范围中时，改变所述多个开关当中的将要导通的开关的数量，使得所述频率偏差的绝对值变小。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的控制方法，

其中，所述信息是由所述温度传感器检测到的所述晶体谐振器的温度信息。

11.根据权利要求9所述的半导体装置的控制方法，

其中，所述信息是所述频率信号的频率与从外部主无线装置接收到的无线信号的主频率之间的频移信息。

12.根据权利要求9所述的半导体装置的控制方法，

其中，在未发送或接收分组的时段期间改变所述多个开关当中的将要导通的开关的数量。

13.根据权利要求9所述的半导体装置的控制方法，

其中，所述负载电容元件的电容彼此相等。

14.根据权利要求9所述的半导体装置的控制方法，

其中，所述可变负载电容电路进一步包括并联耦合到所述晶体谐振器的另一端的多个负载电容元件以及分别串联耦合到所述负载电容元件的多个开关。