[发明专利]一种透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1，提供一透明基底，在所述透明基底一侧形成具有图形化凹槽的压印胶层；

S2，向所述凹槽内填充复合导电墨水；其中，所述复合导电墨水包括铜纳米材料和银纳米材料；其中，所述复合导电墨水中所述铜纳米材料和所述银纳米材料的质量比为1:9～6:4；

S3，通过氙灯烧结所述凹槽内的所述复合导电墨水，在所述凹槽内形成导电网格层。

2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述复合导电墨水中所述铜纳米材料和所述银纳米材料的质量比为3:7～5:5。

3.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述铜纳米材料包括铜纳米颗粒和/或铜纳米片材；所述银纳米材料包括银纳米颗粒和/或银纳米片材。

4.根据权利要求3所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述铜纳米颗粒和所述银纳米颗粒的平均粒径均不超过200nm，所述铜纳米片材和所述银纳米片材的最大径向宽度均不超过400nm。

5.根据权利要求4所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，制备所述复合导电墨水包括步骤：

S21，分别配制铜导电墨水和银导电墨水；其中，所述铜导电墨水的固含量为30％～90％，粘度为15cp～30000cp；所述银导电墨水的固含量为30％～90％，粘度为15cp～30000cp；

S22，将所述铜导电墨水和所述银导电墨水进行混合，获得所述复合导电墨水。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中通过氙灯烧结，所述氙灯的烧结电压为2.0kV～3.0kV，烧结时间为1ms～3ms。

7.根据权利要求6所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述导电网格层的顶面不高于所述压印胶层的顶面。

8.根据权利要求7所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，

所述导电网格层的线宽为500nm～10μm；

所述导电网格层中单个导电网格的平均周长为100μm～800μm；

所述导电网格层总面积占所述导电薄膜面积为5％～20％；

所述凹槽的深度为1μm～10μm。

9.一种根据权利要求1-8任一所述的透明导电薄膜的制备方法制备的透明导电薄膜，其特征在于，其包括透明基底、设于所述透明基底一侧上的具有图形化凹槽的压印胶层及填充于所述凹槽中的导电网格层，所述导电网格层的材料包括铜纳米材料和银纳米材料。