[发明专利]过孔连接结构及阵列基板的制造方法、阵列基板有效
申请号: | 201810428335.1 | 申请日: | 2018-05-07 |
公开(公告)号: | CN110459505B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 卢鹏程;陈小川;杨盛际;黄冠达;王辉;王晏酩;王维海;秦国红;宋亚歌;李健通 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连接 结构 阵列 制造 方法 | ||
本公开实施例提供一种过孔连接结构及阵列基板的制造方法、阵列基板,该过孔连接结构的制造方法包括:在衬底基板上形成绝缘层并在该绝缘层中形成第一过孔;在该第一过孔中形成连接部;在该绝缘层的表面上形成覆盖该连接部的保护层;在该绝缘层和所述保护层中形成第二过孔;至少部分去除该保护层,暴露出该连接部。该制造方法通过在形成第二过孔之前形成保护层对连接部进行保护,避免了光刻胶的剥离工艺对该连接部造成损伤。
技术领域
本公开实施例涉及一种过孔连接结构及阵列基板的制造方法、阵列基板。
背景技术
显示面板通常包括显示区和焊盘(Bonding Pad)区,焊盘区用于在显示区器件制作完成后,与外部元件进行绑定(Bonding)以为显示面板提供信号,例如电源电压信号等。焊盘区的过孔连接结构的制作工艺如何不对显示区器件造成不利影响,是本领域关注的问题。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种过孔连接结构的制造方法,包括:在衬底基板上形成绝缘层并在所述绝缘层中形成第一过孔;在所述第一过孔中形成连接部;在所述绝缘层的表面上形成覆盖所述连接部的保护层;在所述绝缘层和所述保护层中形成第二过孔;至少部分去除所述保护层,暴露出所述连接部。
例如,所述制造方法还包括:在形成所述绝缘层之前,在所述衬底基板上形成第一接触电极和第二接触电极,所述绝缘层覆盖所述第一接触电极和所述第二接触电极,所述第一过孔和所述第二过孔分别至少部分暴露所述第一接触电极和所述第二接触电极,所述第一接触电极与所述连接部电连接。
例如,所述第一接触电极和所述第二接触电极在所述衬底基板上的同一层中形成。
例如,至少部分去除所述保护层包括:在所述保护层上涂覆第一光刻胶层,采用第一掩模板对所述第一光刻胶层曝光、显影,以形成第一刻蚀掩膜,所述第一刻蚀掩膜包括保留在所述第二过孔中的部分;采用所述第一刻蚀掩膜刻蚀所述保护层。
例如,在所述绝缘层和所述保护层中形成所述第二过孔包括:在所述保护层上涂覆第二光刻胶层,采用第二掩模板对所述第二光刻胶层曝光,以形成第二刻蚀掩膜;采用所述第二刻蚀掩膜对所述保护层和所述绝缘层进行刻蚀。
例如,所述第一掩模板和所述第二掩模板是同一掩模板或具有相同的图案,所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层采用性质相反的光刻胶材料。
例如,形成所述连接部包括:形成在所述绝缘层上形成导电层,其中所述导电层填充所述第一过孔,进行抛光处理以去除所述绝缘层表面上的所述导电层。
例如,所述制造方法还包括:在去除所述保护层之后,在所述绝缘层之上形成第一电极,其中,所述第一电极与所述连接部电连接。
例如,所述制造方法还包括:在形成第一电极的同时,在所述第二过孔中形成第二电极。
本公开至少一实施例还提供一种阵列基板的制造方法,所述阵列基板包括过孔连接结构,所述制造方法包括:包括采用上述制造方法形成所述过孔连接结构。
例如,所述阵列基板包括显示区和焊盘区,其中,所述第一过孔位于所述显示区,所述第二过孔位于所述焊盘区。
例如,所述制造方法还包括:在形成所述绝缘层之前,在所述衬底基板上形成第一接触电极和第二接触电极,所述绝缘层覆盖所述第一接触电极和所述第二接触电极,所述第一过孔和所述第二过孔分别至少部分暴露出所述第一接触电极和所述第二接触电极,所述第一接触电极与所述连接部电连接。
例如,所述制造方法还包括:在去除所述保护层之后,在所述绝缘层之上形成第一电极,其中,所述第一电极与所述连接部电连接。
例如,所述制造方法还包括:在所述第一电极上形成有机发光二极管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造