[发明专利]一种有机-无机杂化钙钛矿量子点及薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种有机-无机杂化钙钛矿量子点的制备方法，包括以下步骤：

1)将有机胺溶解于无水乙醇中，搅拌至均匀配制成溶液，在冰水浴环境下，边搅拌边向上述溶液滴加氢卤酸，加入的摩尔比为有机胺：氢卤酸＝1：(1～3),在冰水浴环境下持续搅拌得到澄清溶液，将温度调到40～60摄氏度，继续搅拌除去溶剂得有机胺卤酸粘稠液，用乙醚冲洗所述有机胺卤酸粘稠液，过滤并干燥，得到有机胺卤酸粉末；

2)将无机卤化物与上述有机胺卤酸粉末以摩尔比1:1～3混合，加入短链有机胺卤酸，所述短链有机胺卤酸与无机卤化物盐的摩尔比为0.1～0.5:1；再将这些粉末溶于第一溶剂中，第一溶剂与无机卤化物盐的摩尔比为10～50:1,混合后进行超声处理得到澄清透明溶液，将所述澄清透明溶液置于离心机中离心，取离心后的溶液作为反应前体溶液；

3)将第二溶剂进行快速搅拌，边搅拌边将上述反应前体溶液滴入到第二溶剂中，滴入的体积比为反应前体溶剂：第二溶剂＝1：50～100，持续搅拌得到有机-无机杂化钙钛矿量子点溶液；

其中，步骤2)中提及的第一溶剂是指N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、丙酮、四氢呋喃中的任意一种；步骤3)中提及的第二溶剂为甲苯、氯仿、正己烷、环己烷、乙酸乙酯及乙醚中的任意一种。

2.根据权利要求1所述的有机-无机杂化钙钛矿量子点的制备方法，其特征在于：在步骤1)中，将有机胺溶解于无水乙醇中，配制成体积百分比为20％～40％的溶液。

3.根据权利要求1所述的有机-无机杂化钙钛矿量子点的制备方法，其特征在于：步骤1)中提及的有机胺通式为C_nH_2n+1NH₂，n≥1的饱和烷基胺。

4.根据权利要求1所述的有机-无机杂化钙钛矿量子点的制备方法，其特征在于：步骤2)中提及的无机卤化物盐是指Pb、Cu、Sn、Sb、Mn的卤化物中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的有机-无机杂化钙钛矿量子点的制备方法，其特征在于：在步骤3)中，所述反应前体溶液滴入第二溶剂的滴入速度为10μL～1mL/min。

6.根据权利要求1所述的有机-无机杂化钙钛矿量子点的制备方法，其特征在于：在步骤3)中，将所述第二溶剂置于磁力搅拌器上进行快速搅拌。

7.一种有机-无机杂化钙钛矿量子点光致发光二极管器件的组装方法，其特征在于包括如下步骤：

1)取权利要求1-6任一所述的方法获得的有机-无机杂化钙钛矿量子点溶液，加入PMMA的氯仿溶液中，形成薄膜，在空气环境下自然风干，得到有机-无机杂化钙钛矿量子点薄膜；

2)将步骤1)中，发绿光的有机-无机杂化钙钛矿薄膜和发红光的有机-无机杂化钙钛矿薄膜叠加在GaN蓝色芯片上，组装成发射白光的发光二极管器件。

8.根据权利要求7所述的有机-无机杂化钙钛矿量子点光致发光二极管器件的组装方法，其特征在于：在步骤1)中，通过喷涂、旋涂、刀刮、沉积方式形成薄膜。

9.一种有机-无机杂化钙钛矿量子点薄膜的制备方法，包括如下步骤：

1)按照权利要求1-6任一所述的步骤1)中的相同步骤制备出有机胺卤酸粉末；

2)按照权利要求1-6任一所述的步骤2)中的相同方法制备出反应前体溶液，在基底上旋涂所述反应前体溶液，并进行热处理，得到有机-无机杂化钙钛矿量子点薄膜。

10.根据权利要求9所述的有机-无机杂化钙钛矿量子点薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤2)中，通过喷涂、刀刮或沉积方式在基底上形成所述有机-无机杂化钙钛矿量子点薄膜；通过加热台、干燥箱或马弗炉方式进行热处理。