[发明专利]一种碳化硅陶瓷研磨珠的制备工艺

权利要求书

1.一种碳化硅陶瓷研磨珠的制备工艺，其特征在于，具体包括以下步骤：

（1）将陶瓷原料混合均匀，所述的陶瓷原料包括超细Sic粉及添加剂；

（2）将步骤（1）中混合均匀的陶瓷原料采用滚动成型工艺，制成要求尺寸的毛胚球体；

（3）将步骤（2）所得的毛胚球体置于烧结炉中烧结，烧结温度控制在2150℃，冷却至室温，得到碳化硅陶瓷研磨珠。

2.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷研磨珠的制备工艺，其特征在于：步骤（3）所述的烧结炉为石墨电阻炉。

3.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷研磨珠的制备工艺，其特征在于：所述的陶瓷原料为90-95%的超细Sic粉及5-10%的添加剂，其中，按质量份数计所述添加剂包括以下组分：

氧化铝：4-7份，粘结剂酚醛树脂：1-3份，造孔剂石墨：3-5份，短切碳纤维预分散体：1-3份。

4.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷研磨珠的制备工艺，其特征在于：步骤（1）中将陶瓷原料混合均匀具体为：

将陶瓷原料中超细Sic粉、氧化铝及石墨混合均匀得到混合料，将混合料经后处理得到粉料；

所述的后处理为将混合料在70-75℃下干燥1-3h，过100目筛，得到粉料。

5.根据权利要求4所述的碳化硅陶瓷研磨珠的制备工艺，其特征在于：所述的滚动成型工艺具体为，采用“行星式”旋转装置，在同一个转盘中加入粘合剂及制备的粉料，旋转滚动成致密的0.1-1mm的坯珠。

6.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷研磨珠的制备工艺，其特征在于：对得到的碳化硅陶瓷研磨珠进行研磨抛光，使得微珠的球度不超过0.07μm，表面粗糙度不超过0.008微米，所述的研磨抛光具体为：

粗磨：载荷压力3-7N/珠，所用粗磨研磨剂中，金刚石颗粒的粒度为20-40μm；

一次精磨：载荷压力0.7-1N/珠，所用精磨研磨剂中，金刚石颗粒的粒度为5-8μm；

二次精磨：载荷压力1-3N/珠，所用精磨研磨剂中，金刚石颗粒的粒度为3-5μm；

抛光磨，载荷压力0.2-0.4N/珠，所用抛光磨研磨剂中，金刚石颗粒的粒度为0.01-0.06μm。

7.根据权利要求6所述的碳化硅陶瓷研磨珠的制备工艺，其特征在于：所述的粗磨研磨剂、精磨研磨剂和抛光磨研磨剂为相同研磨剂，按质量比计包括以下组分：

金刚石颗粒：20-30%，柠檬酸铵：65-75%，氧化铈：1-2%，三聚磷酸钠：0.1-0.3%，硅酸钠：2.2-2.4%，十二烷基苯磺酸钠：1-2%，以上各组分之和为100%。