[发明专利]一种氧化锌石墨烯场效应管的制备方法有效
| 申请号： | 201810385619.7 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108648992B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 徐春祥;赵杰;游道通;石增良;朱烨 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/786 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 石墨 场效应 制备 方法 | ||
1.一种氧化锌石墨烯场效应管的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)在金属基底上用化学气相法制备石墨烯薄膜；
(2)以石墨烯薄膜为沟道制备场效应管；
(3)在步骤(2)所述石墨烯基场效应管的沟道上固定放置氧化锌微米棒；
步骤(3)所述固定放置氧化锌微米棒包括如下步骤：
(a)用液态银浆将氧化锌微米棒的任意一端固定在石墨烯基场效应管的沟道中；
(b)拨动氧化锌微米棒的另一端，使其处于沟道中，不与旁边的金属电极接触，得到样品A；
(c)将样品A固定端的液态银浆烘干、退火，从而完成氧化锌微米棒的固定放置。
2.根据权利要求1所述的氧化锌石墨烯场效应管的制备方法，其特征在于：步骤(c)所述的烘干温度为60～135℃，烘干时间为10～30min。
3.根据权利要求1所述的氧化锌石墨烯场效应管的制备方法，其特征在于：步骤(c)所述的退火条件为真空条件下，温度为150～300℃退火。
4.根据权利要求2所述的氧化锌石墨烯场效应管的制备方法，其特征在于：步骤(c)所述的烘干温度为105～135℃，烘干时间为20～30min。
5.根据权利要求3所述的氧化锌石墨烯场效应管的制备方法，其特征在于：步骤(c)所述退火温度为175～200℃。
6.根据权利要求1所述的氧化锌石墨烯场效应管的制备方法，其特征在于：步骤(a)～(c)中所述氧化锌微米棒的制备包括如下步骤：
(A)清洗基底并烘干，研磨氧化锌粉末和碳粉末的混合物，将混合物和基底共同放置在石英管内部；
(B)将步骤(A)所述的石英管、混合物和基底共同置于管式炉中，密封石英管两端，封闭管式炉后抽真空，并通入氩气和氧气进行反应，反应结束后得到生长在基底上的若干氧化锌微米棒；
(C)在步骤(B)得到的若干氧化锌微米棒中挑选直径为10～25μm，长度为200～1000μm的氧化锌微米棒，挑选出的氧化锌微米棒即为所述氧化锌微米棒。
7.根据权利要求6所述的氧化锌石墨烯场效应管的制备方法，其特征在于：步骤(A)中所述氧化锌粉末和碳粉末的质量比为1：1～4。
8.根据权利要求6所述的氧化锌石墨烯场效应管的制备方法，其特征在于：步骤(B)所述通入氩气和氧气进行反应的温度为1000～1200℃，反应时间为15～60min。
9.根据权利要求6所述的氧化锌石墨烯场效应管的制备方法，其特征在于：步骤(C)所述挑选出的氧化锌微米棒的直径为15～20μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
