[发明专利]一种碳纳米管硅胶导静电保护膜及制备方法

说明书

本发明公开一种碳纳米管硅胶导静电保护膜及制备方法，制备方法包括步骤：A、将硅胶、溶剂、固化剂、交联剂、附着剂按照1‑15:30‑120:0.005‑1:0.005‑1:0.005‑1的质量比混合，并进行超声搅拌；B、再加入碳纳米管，并进行超声搅拌得到碳纳米管涂布液；C、通过涂布机在原料膜上进行导电液涂布，然后使用碳纳米管涂布液进行涂布，最后进行覆膜处理。本发明的制备方法所制备的碳纳米管硅胶导静电保护膜，去导电效果好，在撕开薄膜的时候，通过导电层，经过碳纳米管本身具有的性能导走静电，避免产生撕膜电压。

技术领域

本发明涉及电子产品保护膜领域，尤其涉及一种碳纳米管硅胶导静电保护膜及制备方法。

背景技术

传统的电子产品保护膜，存在着较大的静电，并且在保护膜使用过程中会产生较多的静电，例如在撕开保护膜的时候会产生大量的静电，静电过高，不但对电子产品起不了保护作用，还容易损坏精密电子元器件。

所以现有技术存在的问题是：

1、保护膜静电过高，容易损坏电子元器件；

2、抗静电效果低，在保护膜撕开的时候，静电量会显著增加。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种碳纳米管硅胶导静电保护膜及制备方法，旨在解决现有保护膜静电过高的问题。

本发明的技术方案如下：

一种碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其中，包括步骤：

A、将硅胶、溶剂、固化剂、交联剂、附着剂按照1-15:30-120:0.005-1:0.005-1:0.005-1的质量比混合，并进行超声搅拌；

B、再加入碳纳米管，并进行超声搅拌得到碳纳米管涂布液；

C、通过涂布机在原料膜上进行导电液涂布，然后使用碳纳米管涂布液进行涂布，最后进行覆膜处理。

所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其中，导电液涂布的速度为60米/分钟；碳纳米管涂布的速度为28米/分钟。

所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其中，所述步骤A中的搅拌时间为10分钟。

所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其中，所述固化剂为铂金固化剂。

所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其中，所述导电液中的导电物质为聚噻吩。

所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其中，所述碳纳米管与硅胶的质量比为1:1-10。

所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其中，所述导电液中的溶剂为水和异丙醇。

所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其中，所述原料膜的材质为PVC或PET。

所述的碳纳米管硅胶导静电保护膜的制备方法，其中，所述步骤A中的溶剂为乙酯。

一种碳纳米管硅胶导静电保护膜，其中，采用如上所述的制备方法制成。

有益效果：本发明的制备方法所制备的碳纳米管硅胶导静电保护膜，去导电效果好，在撕开薄膜的时候，通过导电层，经过碳纳米管本身具有的性能导走静电，避免产生撕膜电压。

具体实施方式

本发明提供一种碳纳米管硅胶导静电保护膜及制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。